sram专题

国产SRAM存储芯片替代方案

为满足客户对更大更快的SRAM 的普遍需求，伟凌创芯SRAM产品线，容量最高可达64Mb。产品线包括提供256Kb~64Mb不同容量的器件，为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。 EMI串行SRAM器件采用成本较低的8引脚封装，并采用高速SPI/SQI通信总线，只需要4-6 个MCU I/O 引脚即可轻松集成。这减少

STM32必知必会之启动文件的选择、Flash、SRAM

一、STM32系列命名规则 STM32 F 103 C 6 T 7 xxx　 1 2 3 4 5 6 7 8　　第1部分：产品系列名，固定为STM32　　第2部分：产品类型；F表示这是Flash产品，目前没有其它选项　　第3部分：产品子系列；103表示增强型产品，101表示基本型产品105表示集成一个全速USB 2.0 Host/Device/OTG接口

内存之RAM、SRAM、DRAM、ROM、FLASH、SDRAM、DDR*（一篇文章就懂）

内存之RAM、SRAM、DRAM、ROM、FLASH、SDRAM、DDR* 内存　　内存（Memory）指的是内存存储器，又称为主存，是CPU用来直接寻址和存储的空间，它相当于一座桥梁，用以负责诸如硬盘、主板、显卡等硬件上的数据与处理器之间数据交换处理，我们可以把内存看作数据缓存区，一个高速的缓存区。内存之所以称为内存，是相对于硬盘这些外存而言，我们要用的软件数据都安装存放在外存上，但是当我

【紫光同创盘古PGX-Nano教程】——（盘古PGX-Nano开发板/PG2L50H_MBG324第十章）SRAM 读写实验例程

本原创教程由深圳市小眼睛科技有限公司创作，版权归本公司所有，如需转载，需授权并注明出处（www.meyesemi.com) 适用于板卡型号：紫光同创PG2L50H_MBG324开发平台（盘古PGX-Nano）一：盘古盘古PGX-Nano开发板简介 PGX-Nano 是一套以紫光同创 FPGA 为核心的开发板，选用紫光同创 logos2 系列 28nm 工艺的 FPGA（PG2L50

SRAM和Flash的区别

什么是SRAM SRAM的特点什么是Flash Flash存储器的特点 SRAM和Flash的区别什么是SRAM SRAM：全称为Static Random Access Memory，即静态随机存取存储器，是一种常见的计算机内存类型。 SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成，存储矩阵

【IC前端虚拟项目】axi ddr/sram验证组件思路与编写

【IC前端虚拟项目】数据搬运指令处理模块前端实现虚拟项目说明-CSDN博客在完成了所有的utils包括apb_utils之后，就要进行验证环境的整体搭建，因此我们再把验证环境拿出来看一下：按照由底至顶层的思路，接下主要有五大部分需要我们完成：ram_model、reference_model、env、base_test和harness，这一篇从最难的ram_model开始说起。这

TL2837x-EasyEVM开发板处理器、NOR FLASH、SRAM

前言 TL2837x-EasyEVM是一款基于广州创龙SOM-TL2837x核心板所设计的高端单/双核浮点开发板，它为用户提供了SOM-TL2837x核心板的测试平台，用于快速评估SOM-TL2837x核心板的整体性能。图 1 TL2837x-EasyEVM正面图处理器 TI TMS320F2837x单/双核具有200MHz的高速处理能力，双核拥有多达12路的PWM输

S32K144之FlexMem,FlexNVM,FlexRAM,System RAM, SRAM 区别与联系

参考手册中常常见到有关memory的关键字，如FlexMem,FlexNVM,FlexRAM,System RAM, SRAM，那么它们到底是什么意思呢？有什么区别和联系？参考资料 [1]S32K144 参考手册 [2]FlexNVM Memory应用笔记：AN12003 [3]EEPROM Functionality应用笔记：AN11983 1.汇总 2.简

【STA】SRAM / DDR SDRAM 接口时序约束学习记录

1. SRAM接口相比于DDR SDRAM，SRAM接口数据与控制信号共享同一时钟。在用户逻辑（这里记作DUA（Design Under Analysis））将数据写到SRAM中去的写周期中，数据和地址从DUA传送到SRAM中，并都在有效时钟沿处被锁存在SRAM中。在DUA从SRAM中取数据的读周期中，地址信号从DUA传送到SRAM中去，数据信号由SRAM输出给DUA。 DUA与SRA

2.15SRAM,DRAM，ROM，主存与CPU连接

MDR取出数据，然后通过数据总线传递给CPU，地址总线传递信号给到MAR 就是说片选线是用来选择操作哪个芯片 8*8位第一个代表存储单元的数量，第二个代表存储字长有几个存储单元，就对应多少位地址以及多少的地址线存储字长决定数据线的数量字节寻址，1B是一字节8BIT，总容量=个数*大小，寻址的时候变的是大小，因此变的是个数充电的过程是写的过程，放电

DRAM,SRAM,SDRAM,DDR SDRAM区别!

http://blog.sina.com.cn/s/blog_5146fb2d0100hsar.html 问题1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？答：名词解释如下 DRAM--------动态随即存取器，需要不断的刷新，才能保存数据，而且是行列地址复用的，许多都有页模式 SRAM--------静态的随机存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般不是行列地址复用的 SDRAM

杰发科技AC7801——SRAM 错误检测纠正

0.概述 7801暂时无错误注入，无法直接进中断看错误情况，具体效果后续看7840的带错误注入的测试情况。 1.简介 2.特性 3.功能 4.调试可以看到在库文件里面有ecc_sram的库。在官方GPIO代码里面写了点测试代码成功打开2bit中断因为没有错误注入，没法直接测试，回头瞅瞅7840加了错误注入的测试结果调试看到状态值始终为0。回头找个有问题的芯片

SRAM、SDRAM、FLASH三者的区别

Sram的好处是接口简单，速度快容易操作，用资源也比较少；sdram的最大好处是容量大，当然速度也比较快，但是接口复杂些，也耗逻辑资源多些；flash是非易失性存储器，速度慢。目前，相同容量的SRAM价格是SDRAM的8倍左右，面积则将近大4倍，所以SRAM常用于快速存储的较低容量的RAM需求，比如Cache(缓存），比如CPU内部的L1 Cache和主板上的L2 Cache，一般只有几百K。

双稳态电路的两个稳定状态是什么_一张SRAM电路结构图引发的思考

直接上图这个是一张经典的sram电路的6管存储单元结构 sram是什么？ sram全称：(Static Random Access Memory)静态随机存取存储器从图中可以看出，这个是一种由交叉耦合的反相器构成的双稳态结构特点：读写速度快，断电数据消失这张SRAM的电路结构图引起了我的兴趣，于是我又玩起了Memory Compiler 北冥有鱼：Memory Compiler所

存储器（ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH）的区别

个人学习，侵删 ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DR

STM32Cube高效开发教程＜基础篇＞(十七)----FSMC连接外部SRAM

声明：本人水平有限，博客可能存在部分错误的地方，请广大读者谅解并向本人反馈错误。本专栏博客参考《STM32Cube高效开发教程(基础篇)》，有意向的读者可以购买正版书籍辅助学习，本书籍由王维波老师、鄢志丹老师、王钊老师倾力打造，书籍内容干货满满。一、 FSMC连接外部SRAM的原理 1.1 FSMC控制区域的划分 FSMC控制器的存储区分为4个区(Bank)，每个区256

推荐可兼容IS61WV12816DBLL-10BLI的低功耗SRAM EMI502NL16LM-55I

DRAM、SDRAM和SRAM的区别

特点简介： SRAM ：静态 RAM ，不用刷新，速度可以非常快，像 CPU 内部的 cache ，都是静态 RAM ，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。 DRAM ：动态 RAM ，需要刷新，容量大。 SDRAM ：同步动态 RAM ，需要刷新，速度较快，容量大。 DDR SDRAM ：双通道同

【STM32】程序在SRAM中运行

程序在RAM中运行 1、配置内存分配。 2、修改跳转文件 FUNC void Setup(void) { SP = _RDWORD(0x20000000); PC = _RDWORD(0x20000004); } LOAD RAM\Obj\Project.axf INCREMENTAL Setup(); 3、修改下载ROM地址和RAM地址；中断向量表映射中断向量表映射到SR

SRAM使用总结

SRAM，静态随机存储器，是一种静态的RAM。可以随机读写。当用于片外扩展时，且芯片具有外部存储接口，且连接方式为并行连接时，可以对芯片厂商分配好的相应的地址，进行读写操作。

AT32F403如何扩大SRAM

配置方法使用雅特力的ICP 进行配置（可在官网下载）（1）当连接上芯片后，点击设备操作->选择字节（2）选择224KB SRAM （3）然后点击应用到设备，（可以点击从设备加载，来看当前的配置）（4）打开keil5魔术棒图标，将Target中的IRAM1第二个选项从0x10000改为0x3800。（0x10000/1024=64kb,0x38000/1024=224kb)

【计算机组成体系结构】SRAM和DRAM

RAM — Random Access Memory 随机访问存储器 —指定某一存储单元地址的时候，存储单元的读取速度并不会因为存储单元的物理位置改变 SRAM即为 Static RAM 静态随机访问存储器 — 用于主存DRAM即为 Dynamic RAM 动态随机访问存储器 — 用于Cache 一、SRAM和DRAM的特性差异 DRAM采用栅极电容存储二进制0/1，线端是否有

外加SRAM 配置ICF文件

每个芯片开发商都会针对每款芯片来编写一个.icf文件就是传说中的链接文件。对于基本的应用，这个.icf文件足以满足你的工程需要。但有时也会需要改动，比如当你的项目要添加外部RAM时就要修改一下icf。 1、Icf到底干了啥呢？定义了芯片存储空间的大小。定义ROM的大小和起始、结束地址。定义RAM的大小和起始、结束地址。当然这些都是最基本的，你也可以设置以下的东西来匹配你的具体项目

AMD或将3D堆叠SRAM和DRAM用于其CPU和GPU

十次方消息，AMD高级副总裁Norrod最近在Rice Oil and Gas HPC会议上发表讲话，并透露公司正在进行自己的3D堆叠技术，角度与英特尔的略有不同。　　此前AMD已经将HBM2内存堆叠在其GPU核心旁边，这意味着它与处理器位于同一个封装中，但该公司计划在不久的将来转向真正的3D堆叠。Norrod解释说，AMD正致力于在CPU和GPU之上直接堆叠SRAM和DRAM内

英飞凌TC3xx的LMU SRAM保护机制(一)

目录 1.基本概述 2.理解Master Tag ID 3.LMU memory保护使能 4.测试结果分析 5.小结 1.基本概述在英飞凌TC3xx中，每个CPU除了有自己的DLMU外，在SRI总线还挂着几块SRAM，这几块SRAM由LMU(Local Memory Unit)进行权限控制。 RAM的具体地址(上述9H

RT-Thread memheap 开启多块 SRAM的方法

验证环境 NUCLEO-L476RG 开发板，板载 STM32L476RGT6（96K SARM1 + 32K SRAM2） Win10 64 位 Keil MDK 5.36 RT-Thread 5.0.1 版本（2023-05-28 master 主线）功能描述最近在研究 RT-Thread 内存的管理，熟悉了一下 memheap 的功能实现，并且了解到， memheap