hemt专题

通用高电子迁移率晶体管(HEMT)的差分微变解算方案及分析型模型

来源：A Difference-Microvariation Solution and Analytical Model for Generic HEMTs（TED 22年）摘要这篇论文提出了一种AlGaN/GaN和AlGaAs/GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)的分析型直流模型。该模型考虑了高栅偏压下势垒层中积累的电荷。为了突破准确高效求解模型的瓶颈问题,作者开发了一种改进的差分微

针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型，包含基板中射频漏电流的温度依赖性

来源：Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si（TMTT 23年）摘要该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）的准物理等效电路模型，旨在模拟基板中的射频

GaN HEMT中短沟道效应的建模

来源：Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs（TED 20年）摘要在本文中，我们提出了一种用于估算GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中短沟道效应（SCEs）的显式和解析的基于电荷的模型。该模型源自洛桑联邦理工学院（École Polytechnique Fédérale de Lausanne，EPFL）HEMT模型的物理电荷基础

基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型

来源：电子学报 22年摘要为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件模型的需求，本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）模型. 根据耗尽型GaN HEMT器件和增强型p-G

基于物理原理的p-GaN HEMT动态导通电阻SPICE建模

来源：Physics-Based SPICE Modeling of Dynamic ON-State Resistance of p-GaN HEMTs（TPEL 23年）摘要这封快报介绍了一种新型基于物理学原理的SPICE建模方法，专门针对氮化镓基p型门极高电子迁移率晶体管（p-GaN HEMT）的动态导通电阻（Ron,dy）。为了描述Ron,dy的连续变化，文中提出了一个时间分辨的电

【氮化镓】缓冲层结构对GaN HEMT射频性能的影响

【Effect of different layer structures on the RF performance of GaN HEMT devices】研究总结：本研究探讨了不同缓冲层结构对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）射频性能的影响。通过对比三种不同缓冲层结构的GaN HEMT设备，研究了缓冲层质量和陷阱效应对射频增益的影响。实验采用了详细的直流和脉冲IV测量，以及

常关型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT作为片上电容器的建模与分析

来源：Modeling and Analysis of Normally-OFF p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT as an ON-Chip Capacitor（TED 20年）摘要提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向A

【氮化镓】利用Ga2O3缓冲层改善SiC衬底AlN/GaN/AlGaN HEMT器件性能

Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究，特别是探讨了不同缓冲层对器件性能的影响，以应用于高速射频（RF）应用。研究主要关注如何选择一个成本效益高、厚度超过1微米且缺陷较少的缓冲层，以改善直流（DC）和射频（RF）性能。研究中特别提到了使用β-Ga2

ASM-HEMT模型中的射频参数提取

ASM GaN Model 本征器件及其寄生参数，用于构建完整的射频模型：在获取直流参数后，可以利用该模型模拟S参数。为此，需要考虑寄生组件，并围绕模型构建一个子电路来表示所有寄生电容和电感。实际布局相关的寄生元件以及测量参考平面的位置需与内在ASM氮化镓模型相结合。完整的模型如图所示，包含三个层次：第一层是本征ASM氮化镓模型；第二层是由Zex（x=g, d, 或 s）表示的电极线的电感、

使用单一ASM-HEMT模型实现从X波段到Ka波段精确的GaN HEMT非线性仿真

来源：Accurate Nonlinear GaN HEMT Simulations from X- to Ka-Band using a Single ASM-HEMT Model 摘要：本文首次研究了ASM-HEMT模型在宽频带范围内的大信号准确性。在10、20和30 GHz的频率下，通过测量和模拟功率扫描进行了比较。在相同的频率范围内，还比较了负载牵引测量和模拟。单一ASM-HEMT模型

用于 GaN-HEMT 功率器件仿真的 TCAD 方法论

目录标题：TCAD Methodology for Simulation of GaN-HEMT Power Devices来源：Proceedings of the 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's(14年 ISPSD)GaN-HEMT仿真面临的挑战文章研究了什么文章的创新点文章的研究方法

双场板功率GaN HEMT电容模型以精确模拟开关行为

标题：Capacitance Modeling in Dual Field-Plate Power GaN HEMT for Accurate Switching Behavior（TED.16年）摘要本文提出了一种基于表面电位的紧凑模型，用于模拟具有栅极和源极场板（FP）结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的电容特性。在HEMT中加入FP结构可以提高击穿电压、减少栅极漏

ASM-HEMT参数提取和模型验证测试

参数提取程序直流I-V参数提取 DC模型参数提取流程对于ASM-GaN-HEMT模型可以总结在下图中。以下步骤描述了该流程：在模型中设置物理参数，如L（沟道长度）、W（沟道宽度）、NF（栅指数）、TBAR（势垒层厚度）、LSG（源栅极间距）和LDG（漏栅极间距）。这些参数通常由器件工艺技术人员提供。首先，提取过程专注于获取线性VD条件参数。从线性漏极电流与偏置电压条件，即VD在50

CGH40010F HEMT功率器件的介绍

管子的电流通过需要两个条件。一个是导电沟道的打开，一个是漏源之间存在电压差。CCGH40010 F为GaN管子，且此类管子一般为耗尽型，导电沟道一开始就存在。所以我们加负压使其关闭一部分导电沟道，在上电时应该先加很大的负栅压使其关闭，再加上漏压，然后再增大栅压使其导电沟道打开，在下电的时候，应该先下漏压，使其无电流通过。 AlGaN处于应变状态，层中存在压电极化和自发极化；GaN处于弛豫状态，层

用ASM HEMT模型提取GaN器件的参数

标题：Physics-Based Multi-Bias RF Large-Signal GaNHEMT Modeling and Parameter Extraction Flow (JEDS 17年) 模型描述该模型的核心是对表面势（ψ）及其随施加的栅极电压（Vg）和漏极电压（Vd）变化的解析建模。在考虑了真实器件效应（如速度饱和、DIBL、迁移率退化、通道长度调制CLM，参见图1）之后，

ASM-HEMT射频建模

关于ASM-HEMT RF模型 ASM-HEMT是指用于氮化镓高迁移率电子晶体管的先进SPICE模型。该模型于2018年由紧凑模型委员会（CMC）进行了标准化。 ASM-HEMT模型涵盖了氮化镓器件在射频（RF）和功率电子应用中的应用。模型手册提供了模型方程和模型参数的详细描述。注意：第一个模型发布的Verilog-A代码和手册（版本号为101.0.0）可在以下网站上获得：http://i

使用MVS-GaN HEMT紧凑模型促进基于GaN的射频和高电压电路设计

标题：Facilitation of GaN-Based RF- and HV-Circuit Designs Using MVS-GaN HEMT Compact Model 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（19年）摘要—本文阐述了基于物理的紧凑器件模型在研究器件行为细微差异对电路和系统操作与性能的影响方面的实用性。采用行业标准的麻省理工

AlGaN/GaN HEMT 中缓冲区相关电流崩溃的缓冲区电位模拟表征

标题：Characterization of Buffer-Related Current Collapse by Buffer Potential Simulation in AlGaN/GaN HEMTs 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (18年) 摘要 - 在本文中，通过使用脉冲 I-V 测量和二维漂移扩散模拟研究了 AlGaN/GaN

用于 GaN-HEMT 功率器件仿真的 TCAD 方法论

目录标题：TCAD Methodology for Simulation of GaN-HEMT Power Devices来源：Proceedings of the 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's(14年 ISPSD)GaN-HEMT仿真面临的挑战文章研究了什么文章的创新点文章的研究方法