eeprom专题

基于 rt-thread的I2C操作EEPROM(AT24C02)

一、AT24C02 The AT24C01A/02/04/08A/16A provides 1024/2048/4096/8192/16384 bits of serial electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM) organized as 128/256/512/1024/2048 words of 8 b

EEPROM 扫盲

随笔记录 1. 介绍 EEPROM,即电可擦可编程只读存储器。它是一种非易失性存储器,允许在不施加高电压的情况下进行擦除和重新编程操作。 2、特点 非易失性 即使在电源关闭后,存储在 EEPROM 中的数据也不会丢失。这使得它非常适合用于存储需要长期保存的配置信息、校准数据等。可擦写性 可以通过特定的编程方法对其进行擦除和重新编程,这为设备的参数调整和升级提供了便利。字节级可寻址 能够

关于STC-ISP软件选项“下次下载用户程序时擦除用户EEPROM区”的质疑

1.以前,在用STC-ISP软件下载代码时,该选项一般都默认勾选!见图1;因没用到该功能无视; 2.近日,首次下载需写入一些用户核心数据,以后谁升级代码下载都不能查看和更改这些数据! 3.于是:发现个奇怪的问题!就是第一次写入时,默认勾选没发现问题;但第二次升级代码下载时,取消了这个勾选应该是对的!但问题来了:第二次下载后原用户数据居然擦除了! 4.原来:该选项设置后,第一次下载时无效!要到

集成电路学习:什么是EEPROM电可擦除可编程只读存储器

EEPROM:电可擦除可编程只读存储器         EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦除可编程只读存储器)是一种非易失性存储器,具有电可擦写、可编程和只读的特性。以下是关于EEPROM的详细解释: 一、EEPROM的定义与特点 EEPROM的定义:EEPROM是一种允许通过电信号进行擦除和重新编程的

57.基于IIC协议的EEPROM驱动控制(4)

(1)顶层代码: module IIC_EEPROM(input wire clk ,input wire reset_n ,input wire key_r ,input wire key_w ,output

55.基于IIC协议的EEPROM驱动控制(2)

升腾A7pro的EEPROM芯片为24C64芯片,器件地址为1010_011。         (1)Visio整体设计视图(IIC_SCL为250KHz,IIC_CLK为1MHz,addr_num为1,地址字节数为2字节,addr_num为0,地址字节数为1字节): (2)IIC_ctrl模块状态转移图: (3)按键消抖模块代码及注释解析: module key_

中微8S6990 EEPROM踩坑记录

中微8S6990 EEPROM内容丢失解决记录 问题描述: 问题程序如下: void temp_remember(uint16_t temperature,uint16_t address_H,uint16_t address_L){uint8_t temp,temp1 = 0;temp = temperature>>8;temp1 = temperature;FLASH_UnLock()

【TB作品】PIC16F1719单片机,EEPROM,PFM,读写,PIC16F1718/19

对于PIC16F1719单片机,没有直接的EEPROM,而是使用高耐久度的程序闪存(PFM)作为非易失性数据存储区域。这个区域特别适合存储那些需要频繁更新的数据。读写这个内存区域需要操作一些特殊功能寄存器,比如用于地址的PMADRH:PMADRL和用于数据的PMDATH:PMDATL。 执行从闪存中读取数据的操作步骤如下: 将目标地址写入PMADRH:PMADRL寄存器对。清除PMCON1寄存

【GD32F303红枫派使用手册】第二十一节 I2C-EEPROM读写实验

21.1 实验内容 通过本实验主要学习以下内容: AT24C16 EEPROM的工作原理; IIC模块原理以及IIC驱动原理。 21.2 实验原理 21.2.1 AT24C16 EEPROM的工作原理 下图为AT24CXX系列EEPROM相关参数,由该图可知,AT24C16的存储容量为16Kbit,共2048字节,共128页,每页为16字节。 由下图可知,AT24C16由8块

ESP32-C3开发之旅 基础篇④ ESP32-C3与EEPROM

一、简介 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),电可擦可编程只读存储器——一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 二、原理 EEPROM库在Arduino中经常用于存储设定数据。当然基于Arduino的ESP32-C3也不例外。     写入操作是通过commit将flash eeprom地址的4K 存储内容删除后才

单片机上FLASH、EEPROM、RAM区别

FLASH主要是程序存储器,在运行过程中不能改,使用的时候我们是把所编写的程序烧录到flash中去,RAM主要做运行时数据存储器, EEPROM是用来保存掉电后用户不希望丢的数据,运行过程中可以改变,可以理解为数据存储器。比如一个时钟闹铃初始化设定为15:00,后来在运行中改为8:00,这是保存在EEPROM里,不怕掉电。   以下是详细介绍: FLASH的全称是FLASH EEPROM,

EEPROM-24LC512 family

I2C Serial EEPROM Family    一 功能介绍 1、能页操作,每页可达128字节。 2、具有的功能地址线,允许8个器件挂在同一总线上。高达4MBit的地址空间(64k x 8=512bit | 512bit x 8 = 4Mbit) 3、在512k范围内,可随机读和顺序读。 4、板级供电电压范围 1.7V to 5.5V。     二 引脚描述  引

EVASH vs. ATMEL vs. ST EEPROM 对比型号

EVASH vs. ATMEL vs. ST EEPROM 对比 型号对比 益华世ATMELSTEV24C128AAT24C128M24128EV24C256AAT24C256M24256EV24C512AAT24C512M24512 优势和劣势对比 品牌优势劣势EVASH- 供应链稳定性: 新兴品牌,可能在芯片市场紧缺的情况下提供较为稳定的供应。<br>- 性价比: 相对较低的价格,

EEPROM专业评测 EV24C128A、EV24C256A和EV24C512A

针对EV24C128A、EV24C256A和EV24C512A这三款存储器芯片,我们将进行专业的评测,并为您撰写一份详细的报告。以下是我们的评测流程和报告: 存储器芯片评测报告 1. 简介 EV24C128A、EV24C256A和EV24C512A是益华世(YH)公司生产的串行EEPROM存储器芯片。它们分别具有128KB、256KB和512KB的存储容量,适用于各种嵌入式系统和电子设备中。

STC8增强型单片机进阶开发--EEPROM读写

知不足而奋进 望远山而前行 目录 系列文章目录 文章目录 前言 设置EEPROM 读写String字符串 官方示例 总结 前言 EEPROM是一种可擦写可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的缩写。它是一种非易失性存储器,可以在不需要外部电源的情况下保持存储数据。与

STM32 IIC 使用 HAL 库操作eeprom

在STM32上通过I2C接口(注意:在标准STM32库中,I2C接口通常被写为"I2C"而不是"IIC")与EEPROM芯片通信时,你需要遵循I2C通信协议,并使用STM32的HAL库或标准外设库(如果适用)中的函数。 下面是一个简化的示例代码,展示了如何使用STM32的HAL库通过I2C接口与EEPROM(假设是24LC系列,通常起始地址是0xA0或0xA2,这取决于特定的EEPROM芯片和配

18 EEPROM读写

EEPROM 简介 EEPROM (Electrically Erasable Progammable Read Only Memory,E2PROM)即电可擦除可编程只读存储器,是一种常用的非易失性存储器(掉电数据不丢失),EEPROM 有多种类型的产品,此次实验使用的是ATMEL 公司生产的 AT24C 系列的 AT24C64 这一型号。AT24C64 具有高可靠性,可对所存数据保存 100

STM32G030C8T6:EEPROM读写实验(I2C通信)--M24C64

本专栏记录STM32开发各个功能的详细过程,方便自己后续查看,当然也供正在入门STM32单片机的兄弟们参考; 本小节的目标是,系统主频64 MHZ,采用高速外部晶振,实现PB11,PB10 引脚模拟I2C 时序,对M24C08 的EEPROM 进行读。 原理:通过模拟I2C接(PB10:CLK,PB11:DTA)与M24C08 EEPROM进行读写实验。 涉及到的知识:配置I2C通信,S

蓝桥杯物联网竞赛_STM32L071KBU6_对于EEPROM的新理解

EEPROM写函数: void Function_GetEepromData(){Function_EepromRead(4, BUFF);OLED_ShowChar(0, 0, BUFF[0] + '0');OLED_ShowChar(0, 2, BUFF[1] + '0'); BUFF[0] ++;BUFF[1] ++;HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();HAL_

嵌入式进阶——EEPROM读写

🎬 秋野酱:《个人主页》 🔥 个人专栏:《Java专栏》《Python专栏》 ⛺️心若有所向往,何惧道阻且长 文章目录 设置EEPROM读写String字符串官方示例 EEPROM是一种可擦写可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的缩写。它是一种非易失性存储器,可以在不需要外部电源的情况下

单片机_stc单片机eeprom 学习笔记

1,有若干个扇区,每个扇区包含512字节,一个地址存储一个字节,第一个扇区的地址从0到512. 十六进制表示是 0x0000~0x0200 2,数据擦除是按照扇区为单位的,所以要合理分配存储内容的扇区(擦除频率高的数据和频率低的数据放在不同的扇区存储) 3,eeprom操作的时候,系统时钟不供给cpu,但是系统时钟给其它外设时钟此时需要注意,如串口发送的数据可能会丢失,以及不能及时响应

设备树学习之(八)eeprom

开发板:tiny4412SDK + S702 + 4GB Flash  要移植的内核版本:Linux-4.4.0 (支持device tree)  u-boot版本:友善之臂自带的 U-Boot 2010.12  busybox版本:busybox 1.25 目标:  驱动 tiny4412 底板上的 i2c eeprom ,使用字符设备进行读写。 原理图:    设备地址为 0x

STM8内部EEPROM的使用详解

1 内存映射 STM8S105集成了多达1K的EEPROM(掉电数据不会丢失)最高可以支持30万次的擦写次数,用户可以将一些数据保存在EEPROM中,具体的memory map如下图所示; 在这里内存一页的大小为64 bytes(1 block), DATA EEPROM的内存地址映射如下图所示; 可以看到,EEPROM的起始地址为0x004000,结束地址为0x00427F,这个在

EEPROM连续写多个字节函数接口

EEPROM连续写多个字节函数接口 void ee_24c256_writebytes(u16 write_addr, char* pwrite_buff, u16 writebytes){u8 write_len,page_offset;while(writebytes > 0){page_offset = EE_PAGESIZE - (write_addr % EE_PA

STM32G030C8T6:EEPROM读写实验(I2C通信)

本专栏记录STM32开发各个功能的详细过程,方便自己后续查看,当然也供正在入门STM32单片机的兄弟们参考; 本小节的目标是,系统主频64 MHZ,采用高速外部晶振,实现PB11,PB10 引脚模拟I2C 时序,对M24C08 的EEPROM 进行读。 原理:通过模拟I2C接(PB10:CLK,PB11:DTA)与M24C08 EEPROM进行读写实验。 涉及到的知识:配置I2C通信,S

EEPROM和FLASH

存储器分为两大类:RAM和ROM。 RAM:程序执行的空间,如计算机RAM,再我们点击桌面应用软件时,操作系统将应用程序对应该的执行文件加载到计算机的RAM中运行。如果应用程序需要的RAM超过实际计算机的RAM内存,引出“虚拟内存”的概念,将一部分程序不经常使用的数据放到硬盘中,待需要的时候才提取出来。 ROM:最初不能重写,内容由出厂写死。后来出现了PROM,PROM只能写入