本文主要是介绍EEPROM和FLASH，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
存储器分为两大类：RAM和ROM。RAM：程序执行的空间，如计算机RAM，再我们点击桌面应用软件时，操作系统将应用程序对应该的执行文件加载到计算机的RAM中运行。如果应用程序需要的RAM超过实际计算机的RAM内存，引出“虚拟内存”的概念，将一部分程序不经常使用的数据放到硬盘中，待需要的时候才提取出来。
ROM：最初不能重写，内容由出厂写死。后来出现了PROM，PROM只能写入一次，如果出现错误则需要更换芯片。随着时间的推移，终于出现了可紫外线擦除的EEPROM，但是每次擦除时需要放置在紫外线下照射半小时，比较耗费时间。最终ROM进化到了可以随意修改的EEPROM了。
EEPROM：Electrically Eraseable Programmable Read-Only Memory，翻译过来是：电可擦除可编程只读存储器。
EEPROM按照擦除的方式可以分为：狭义的EEPROM和广义的EEPROM；
狭义的EEPROM：按字节为单位的擦写的EEPROM；可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
广义的EEPROM：按块擦除的EEPROM，称为FLASH。
FLASH在擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，简化了电路，数据密度更高，降低了成本。可以达到M级别的存储空间。
FLASH又可分为NOR FLASH和NAND FLASH。
NOR FLASH数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节,但是擦除按块来擦。
NAND FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。
读取速度：由于NAND FLASH引脚上复用，因此读取速度比NOR FLASH慢一点，但是擦除和写入速度比NOR FLASH快很多。NAND FLASH内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
用寿命上：NAND FLASH的擦除次数是NOR FLASH的数倍。而且NAND FLASH可以标记坏块，从而使软件跳过坏块，因此存储空间会越来越小，这也就是U盘使用的时间越长存储空间越小的原因；而NOR FLASH 一旦损坏便无法再用。
因为NOR FLASH可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR FLASH中运行。嵌入式系统多用一个小容量的NOR FLASH存储引导代码，用一个大容量的NAND FLASH存放文件系统和内核。
原文地址：http://blog.csdn.net/yuanlulu/article/details/6163106。
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