【dsPIC33E】内部Flash读写

本文主要是介绍【dsPIC33E】内部Flash读写，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

基于某些安全考虑或者降成本，我们不希望使用外部存储器件，但有时我们由需要记录一下参数，确保断电不丢失，这时，富余的内部代码存储Flash就派上用场了。

不同于外部存储器，几乎所有的内部Flash读写都十分麻烦，甚至需要使用到汇编。

下面我们将讲述dsPIC33E如何读写内部Flash，此处以dsPIC33EP256GP506为例。

示例代码下载：https://download.csdn.net/download/u010875635/10821230

在操作Flash之前，我们有必要下了解一下Flash的结构，注意以下几点：

1、dsPIC33E/PIC24E闪存程序存储器被分段为页和行，每页1024个指令字，每行128个指令字，部分器件不支持行

2、dsPIC33E/PIC24E闪存程序存储器支持128/2个保持寄存器以一次对存储器的一行/双指令字进行编程

3、dsPIC33E/PIC24E每个指令字为24位，占2个16为，最高8位为虚字节

4、 dsPIC33E/PIC24E每个指令字占2个地址，例如0x000000和0x000001都是表示第一个指令字

5、对于大多数应用，24位中的高8位不用于存储数据，建议便成为NOP指令或者非法操作码值

6、地址总是偶数呈现，读取奇数地址获取到的与前一个偶数时一致的，所以读取奇数地址没有意义

dsPIC33E/PIC24E操作Flash相关的几个寄存器。

1、TBLPAG：表地址页位，8位表地址页位与W寄存器组组合形成23位有效程序存储器地址加上一个字节选择位

2、每个地址数据由2个字合并而成，由以下四个寄存器操作

TBLRDL：表读低位字

TBLWTL：表写低位字

TBLRDH：表读高位字

TBLWTH：表写高位字

程序存储器分为很多个表页，表页地址为TBLPAG，占据地址高8位（共24位），表页不同于Flash的擦除页。表页内部地址为16位的有效地址，占据低16位，所以一个表页大小为0x010000

表操作地址生成，有TBLPAG和来自Wn的16位组合成24位的有效地址，7-->0 15------>0

读相关操作较为简单，只需要写入TBLPAB和TBLRDL或TBLRDH然后读取即可

写相关操作较为复杂，允许一次擦除1页(8行)，运行一次编程1行，或者编程2个指令字字。

注意擦除和编程都是边沿对齐的，从存储器起始开始，分别以1024指令字和128或2指令字作为边界，即，擦除的地址单位长度为0x400，例如擦除0-0x0003ff，0x000400-0x0007ff；编程的地址单位长度为0x80或者0x04，例如，编程0-0x00007f，0x000080-0x0000ff或者0x000080-0x000083

在程序存储器的最后一页上执行页擦除操作会清零闪存配置字，从而使能代码保护。因此，用户应避免在程序存储器的最后一页上执行页擦除操作。

要执行编程操作，必须先将其对应的整页(1024个指令字)全部擦除，然后重新编程，所以一般操作流程如下：
1、读取闪存程序存储器的一页，并将其作为数据镜像存储到RAM中，RAM镜像必须从1024字程序存储器的偶地址边界读取
2、用新的数据更新RAM中的数据镜像
3、擦除闪存存储器页
a)设置NVMCON寄存器以擦除一页
b)禁止中断
c)将要擦除页的地址写入NVMADRU和NVMADR寄存器（可以是该页任意地址）
d)将秘钥序列吸入NVMKEY寄存器，以使能擦除
e)将NVMCON<15>的WR位置1，启动擦除周期
f)擦除周期结束时WR位清零
g)允许中断
4、用表写操作将128或者2个指令字的一行或双指令字从RAM装入写锁存器
5、对一行或者2个指令字进行编程
a)设置NVMCON以编程一行
b)禁止中断
c)将要编程行或第一个字的地址写入NVMADRU和NVMADR寄存器
d)将秘钥序列吸入NVMKEY寄存器，以使能编程周期
e)将NVMCON<15>的WR位置1，启动编程周期
f)编程周期结束时WR位清零
g)允许中断
6、重复4-6步骤，对多个数据进行编程，直到一页编程完成
7、根据需要，重复1-6，对多页进行编程