stm32l0片上eeprom的读写操作

一、介绍

1.1 片上eeprom介绍

L0的片上eeprom特性主要用来存储系统的配置信息，f103如果需要存储配置信息，还需要额外的一颗eeprom芯片，片上eeprom的机制也符合这系列的低功耗的属性。

1.2 写eeprom操作

此操作旨在将字或字的一部分写入数据EEPROM。用户必须在正确的地址和大小写正确的值。内存接口在必要时自动执行擦除操作（如果所有位当前都设置为0，则无需在写入之前删除旧内容）。类似地，如果要写入的数据为0，则只执行擦除操作。当只执行写操作或擦除操作时，持续时间为Tprog（3.2 ms）；如果两者都执行，则持续时间为2 x Tprog（6.4 ms）。每次擦除和写入操作都将FIX标志设置为1时，可以强制内存接口执行。
注意的是

• 一般flash擦除后是0xff，而片上eeprom擦除后是0x00
• 一般flash在编程前需要先擦除，而stm32的内存接口自动的执行了擦除操作，无需用户执行额外的擦除指令。

二、编程

//eeprom地址
#define EEPROM_BASE_ADDR	0x08080000
//向偏移地址写入len个字节
void eeprom_write(uint16_t BiasAddress, uint8_t *Data, uint16_t len)
{uint16_t i;HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();for(i=0;i<len;i++){status +=HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress+i, *Data);Data++;}HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
}
//向偏移地址读取len个字节
void eeprom_read(uint16_t BiasAddress,uint8_t *Buffer,uint16_t Len)
{uint8_t *wAddr;wAddr=(uint8_t *)(EEPROM_BASE_ADDR+BiasAddress);while(Len--){*Buffer++=*wAddr++;}
}

三、测试

3.1 测试代码

//测试printf("开始测试\r\n");printf("写入eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_write_data[0],eeprom_write_data[1]);eeprom_write(0,eeprom_write_data,2);HAL_Delay(10);eeprom_read(0,eeprom_read_data,2);printf("读取的eeprom数据：[0]:%x [1]:%x\r\n",eeprom_read_data[0],eeprom_read_data[1]);printf("片上eeprom测试完成\r\n");

3.2测试结果

向0x08080000写入两个字节和从改该地址读取两个的内容一致，测试成功。

四、例程

例程链接