S912XDT256F1MAL 外部存储微控制器、IPD06P004N【MOS】P沟道60V 16.4A TO252-3

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IPD06P004N MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3

IPD06P004N（明佳达电子）

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 16.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 710µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：27 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：63W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号：IPD06P

特性——

p沟道

极低电阻RDS(on)

100%雪崩测试

正常水平

增强模式

无铅镀铅;通过无铅认证

符合IEC61249-2-21的无卤素

概述

MC9S12XD系列保留了16位MC9S12 MCU系列用户目前享有的低成本、功耗、EMC和代码大小效率优势。S912XDT256F1MAL 基于增强的S12核心，MC9S12XD系列将提供2至5倍于25 mhz S12的性能，同时保持与S12的高度引脚和代码兼容性。

MC9S12XD系列引入了性能提升的XGATE模块。使用增强的DMA功能，这个并行处理模块通过在外围模块、RAM、Flash EEPROM和I/O端口之间提供高速数据处理和传输来减轻CPU的负担。除了CPU之外，XGATE还提供高达80 MIPS的性能，可以访问所有外设、闪存EEPROM和RAM块。