IPD06P004N MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3 IPD06P004N（明佳达电子） FET 类型：P 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫