IPD06P004N MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3 IPD06P004N（明佳达电子） FET 类型：P 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫

VBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作电流可达-50A。在标准工作条件下，其导通时的内阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20mΩ@10V和25mΩ@4.5V。此外，其门源电压范围为-20V至+20V，阈值电压（Vth）为-1.76V。该产