大学模拟电子技术基础B复习公式提要

2024-03-02 04:38

本文主要是介绍大学模拟电子技术基础B复习公式提要,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

大学模拟电子技术基础B复习公式提要

一、晶体管的电流分配关系

I E = I C + I B I c = β I B I_E=I_C+I_B\\ I_c=\beta I_B IE=IC+IBIc=βIB

二、晶体管输入端的 r b e r_{be} rbe

r b e = r b b ′ + ( 1 + β ) 26 m V I E Q r b b ′ 通 常 为 200 r_{be}=r_{bb'}+(1+\beta)\frac{26mV}{I_{EQ}}\\ r_{bb'}通常为200 rbe=rbb+(1+β)IEQ26mVrbb200

三、晶体管的电压增益

A u = − β R C r b e A_u=-\beta\frac{R_C}{r_{be}} Au=βrbeRC

四、差模信号的放大作用

1、差模电压增益

A u d = − β R C / / R L 2 r b e A_{ud}=-\beta \frac{R_C//\frac{R_L}{2}}{r_{be}} Aud=βrbeRC//2RL

1.1、 V T 1 VT_1 VT1

A u d ( 单 ) = − 1 2 β R C / / R L r b e A_{ud}(单)=-\frac{1}{2}\beta \frac{R_C//R_L}{r_{be}} Aud()=21βrbeRC//RL

1.2、 V T 2 VT_2 VT2

A u d = 1 2 β R c / / R l r b e A_{ud}=\frac{1}{2}\beta \frac{R_c//R_l}{r_{be}} Aud=21βrbeRc//Rl

2、差模输入电阻

R i d = 2 r b e R_{id}=2r_{be} Rid=2rbe

3、差模输出电阻
3.1、双端

R o d = 2 R C R_{od}=2R_C Rod=2RC

3.2、单端

R o d = R C R_{od}=R_C Rod=RC

五、共模信号抑制作用

1、电压增益

A u c = u o c 1 − u o c 2 u i c A_{uc}=\frac{u_{oc1}-u_{oc2}}{u_{ic}} Auc=uicuoc1uoc2

2、共模输入电阻

R i c = 1 2 [ r b e + ( 1 + β ) 2 R E ] R_{ic}=\frac{1}{2}[r_{be}+(1+\beta)2R_E] Ric=21[rbe+(1+β)2RE]

3、共模输出电阻

R o c = 0 R_{oc}=0 Roc=0

4、共模单端输出指标
4.1、共模单端输入电阻

R i c ( 单 ) = 1 2 [ r b e + ( 1 + β ) 2 R E ] R_{ic}(单)=\frac{1}{2}[r_{be}+(1+\beta)2R_E] Ric()=21[rbe+(1+β)2RE]

4.2、共模单端输出电阻

R o c ( 单 ) = R C R_{oc}(单)=R_C Roc()=RC

4.3、共模单端电压增益

A u c ( 单 ) = − β R C / / R L r b e + ( 1 + β ) 2 R E ≈ R C / / R L 2 R E A_{uc}(单)=-\beta\frac{R_C//R_L}{r_{be}+(1+\beta)2R_E}\approx \frac{R_C//R_L}{2R_E} Auc()=βrbe+(1+β)2RERC//RL2RERC//RL

六、共模抑制比

K C M R = ∣ A u d A u c ∣ K C M R ( 单 ) = ∣ A u d ( 单 ) A u c ( 单 ) ∣ ≈ β R E r b e K_{CMR}=|\frac{A_{ud}}{A_{uc}}|\\ K_{CMR}(单)=|\frac{A_{ud}(单)}{A_{uc}(单)}|\approx\beta\frac{R_E}{r_be} KCMR=AucAudKCMR()=Auc()Aud()βrbeRE

七、OCL电路

条件: U o m = U c c − U c e s = U c c U_{om}=U_{cc}-U_{ces}=U_{cc} Uom=UccUces=Ucc

1、最大输出功率

P o m = U c c 2 2 R L P_{om}=\frac{U_{cc}^2}{2R_L} Pom=2RLUcc2

2、最大电源功率

P E m = 2 U c c 2 π R L P_{Em}=\frac{2U_{cc}^2}{\pi R_L} PEm=πRL2Ucc2

3、效率

η = π 4 . U o m U c c = 78.5 % \eta=\frac{\pi}{4}.\frac{U_{om}}{U_{cc}}=78.5\% η=4π.UccUom=78.5%

4、损耗

P T = 1 2 ( P E − P O ) U o m = 2 π U c c 最 大 损 耗 : P T m = 0.2 P o m η = π 4 . 2 π = 50 % P_T=\frac{1}{2}(P_E-P_O)\\ U_{om}=\frac{2}{\pi}U_{cc}\\ 最大损耗:P_{Tm}=0.2P_{om}\\ \eta=\frac{\pi}{4}.\frac{2}{\pi}=50\% PT=21(PEPO)Uom=π2Ucc:PTm=0.2Pomη=4π.π2=50%

八、OTL电路

条件: U o m = U c c 2 = R L I o m U_{om}=\frac{U_{cc}}{2}=R_LI_{om} Uom=2Ucc=RLIom

1、最大输出功率

P o m = U c c 2 8 R L = 1 2 I o m 2 R L P_{om}=\frac{U_{cc}^2}{8R_L}=\frac{1}{2}I_{om}^2R_L Pom=8RLUcc2=21Iom2RL

2、最大电源功率

P E m = U c c I c m π P_{Em}=\frac{U_{cc}I_{cm}}{\pi} PEm=πUccIcm

3、效率

η = π 4 . U o m U c c = 39.3 % \eta=\frac{\pi}{4}.\frac{U_{om}}{U_{cc}}=39.3\% η=4π.UccUom=39.3%

4、损耗

P T = 1 2 ( P E − P O ) P_T=\frac{1}{2}(P_E-P_O)\\ PT=21(PEPO)

九、负反馈放电路

参数|类型电压串联电压并联电流串联电压并联
A A u = u 0 u i A_u=\frac{u_0}{u_{i}} Au=uiu0 A r = u 0 I i A_r=\frac{u_0}{I_i} Ar=Iiu0 A g = I 0 u i A_g=\frac{I_0}{u_i} Ag=uiI0 A i = I 0 I i A_i=\frac{I_0}{I_i} Ai=IiI0
F F u = u f u 0 F_u=\frac{u_f}{u_0} Fu=u0uf F u = I f u 0 F_u=\frac{I_f}{u_0} Fu=u0If F r = u f I i F_r=\frac{u_f}{I_i} Fr=Iiuf F i = I f I i F_i=\frac{I_f}{I_i} Fi=IiIf

十、反向比例放大器

U 0 = − R f R 1 U i U_0=-\frac{R_f}{R_1}U_i U0=R1RfUi

十一、同相比例放大器

U 0 = ( 1 + R f R 1 ) U i U_0=(1+\frac{R_f}{R1})U_i U0=(1+R1Rf)Ui

十二、反向输入迟滞比较器

1、上门限

U T H = R 2 R 1 + R 2 U o H U_{TH}=\frac{R_2}{R_1+R_2}U_{oH} UTH=R1+R2R2UoH

2、下门限

U T L = R 2 R 1 + R 2 U o L U_{TL}=\frac{R_2}{R_1+R_2}U_{oL} UTL=R1+R2R2UoL

3、回差电压

U T H = R 2 R 1 + R 2 ( U o H − U o L ) U_{TH}=\frac{R_2}{R_1+R_2}(U_{oH}-U_{oL}) UTH=R1+R2R2UoHUoL

这篇关于大学模拟电子技术基础B复习公式提要的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!



http://www.chinasem.cn/article/764928

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