本文主要是介绍mos管震荡2，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
根据对引线电感的估算，由datasheet得到的MOS的 DS电容，参数如下
L1=0.0000000045; %单位H
L2=0.0000000075;
C1=0.00047; %单位F
R1=0.01; %单位欧母
num=[1 R1/L2 1/(L2*C1)];
den=[1 R1/(L1+L2) 1/(L1*C1+L2*C1)];
step(num,den); %动态系统的阶跃响应绘图。
rlocus(num,den) %绘制根轨迹
发生了较强烈的震荡，而且超调量不可接受
决定在DS间增加电容，470uf是能找到最大的的电容了
理论上增加ds电容是有的效果，只是这个值太大，贴片电容基本没有这个个值
另外，数学功底太差，还不能理解大牛是怎么从函数就看出增加电容可以减少震荡的
再另外，加大电阻R也有效果
但是又额外浪费了电能
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主要的矛盾点在于我做的公式与原作者的不一样，不知道差错在哪里，但给我提供了思路。
他这里用到了判别式
在一元二次方程 
中
（1）当△>0时，方程有两个不相等的实数根；
（2）当△=0时，方程有两个相等的实数根；
（3）当△<0时，方程没有实数根,方程有两个共轭虚根．
我们知道要避免或减小震荡，△应该尽量大，使根接近实轴。
当极点和零点都处于实轴上时就不会震荡，也可以使极点和零点尽量接近实轴来减小震荡
按我自己的公式来列
分子的判别式（对应零点）：
分母的判别式（对应极点）：
要使结果增大（接近实轴，减少震荡），应使R，C增大，L1，L2减小
L1，L2为走线电感，一般只能靠优化走线解决，实际实验C增大没有成功，可能因为我的电路在别处存在反馈，影响了结果，加大R成功减少了震荡
这篇关于mos管震荡2的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
