本文主要是介绍东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
- 新封装提供双面散热，有效改善散热。
东京--(美国商业资讯)--八月，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。
这些新产品在“DSOP Advance”(WF)封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用最先进沟槽结构的MOSFET，实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散，因此散热设计灵活性得到提高。
与东芝之前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声，有助于降低电磁干扰(EMI)[1]。
“DSOP Advance(WF)”封装采用可沾锡侧翼端子结构[2]。
应用场合
- 电动助力转向系统
- 负载开关
- 电动泵
特点
- 符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用场合
- 采用顶板(top plate)[3]和漏极的双面散热封装
- 可沾锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
- U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性
| 主要规格 | ||||||||||||||
| (@Ta=25 ℃) | ||||||||||||||
| 产品 型号 | 绝对 最大额定值 | 漏源极 导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) | 栅源极 之间 内置 稳压二极管 | 系列 | 封装 | |||||||||
| 漏 源极 电压 VDSS (V) | 漏极 电流 （直流） ID (A) | |||||||||||||
| @VGS＝6 V | @VGS=10 V | |||||||||||||
| TPWR7904PB | 40 | 150 | 1.3 | 0.79 | 否 | U-MOSⅨ-H | DSOP Advance(WF)L | |||||||
| TPW1R104PB | 120 | 1.96 | 1.14 | DSOP Advance(WF)M | ||||||||||
注：
[1] EMI（电磁干扰）
[2] 可沾锡侧翼端子结构：一种端子结构，支持在电路板上进行安装的自动光学检测(AOI)。
[3] 请注意，该顶板与源极电势相同，但不能用于电极。
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来，我们已跻身领先的通用设备公司之列，并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
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