射频功放中的LDMOS温补电路

2023-12-29 23:40

本文主要是介绍射频功放中的LDMOS温补电路,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

有些参考NXP的AN1643文档

RF LDMOS Power Modules for GSM Base Station Application: Optimum Biasing Circuit

百度文档:https://wenku.baidu.com/view/3e3c44ea551810a6f5248637.html

1、晶体管为什么要温度补偿

一般在静态时,输入不加功率时,需要把LDMOS的静态漏级电流调到设计值;而LDMOS在工作时,会发热,使晶体管温度升高,从而漏级静态电流会偏移设计值。如图1所示:例如漏级静态电流在25℃设计为200mA,则相同静态电流的情况下,所需要的Vgs以-2.168mV/℃的速率降低,若Vgs不变换,则晶体管的工作点会发生漂移,因此需要温度补偿电路,特别是大功率LDMOS。

图1 某射频大功率LDMOS的静态电流与Vgs在不同壳温的数据曲线

2、温度补偿电路设计,具有可调功能的温补电路

某三极管的温度系数,应该为负值,PN结的电压也是随温度升高而下降

 图2 三级管的温度系数

 值得注意的地方:PCB布局的时候三极管一定要放在靠近晶体管的地方

这篇关于射频功放中的LDMOS温补电路的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!



http://www.chinasem.cn/article/551063

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