本文主要是介绍Day 2 | 实习第二天 飞思卡尔S12--HSD，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
今天体检了一个上午，下午开始把HSD部分理理清楚--High-Side Drivers（高侧驱动），在我的理解下我感觉HSD类似与一个高电压的驱动器可以驱动更高的电压的外设，就像手册里面说的（used to drive LED or resistive loads）
HSD一共有两路HSD0和HSD1，通常用来驱动LED 或者 电阻负载，
The HSDRV module includes two independent high-side drivers with common high voltage supply.
该HSDRV模块包括两个独立的高侧驱动器与常见的高压电源
寄存器地址=模块基础地址+地址偏移量，其中模块基础地址在MCU级别定义，地址偏移量在模块级别定义。
在整体的框图中可以看到HSDRV有HS0和HS1以及VSUPHS，其中VSUPHS是可以直接连接到主电源的另外的两条线是HS0和HS1
共计4个寄存器可以配置 HSDR HSCR HSIE HSIF
端口HS数据寄存器（HSDR）
HSDRV配置寄存器（HSCR）
中断允许寄存器（HSIE）
中断标志寄存器（HSIF）
首先是HSDR寄存器这是一个数据寄存器，这个寄存器可以被连接到定时器和PWM的输出的接口上面，关键看PIM模块的设置
(See PIM section for routing details.)
| 0 High-side driver is turned off //在其中的一个寄存器的值写0则关闭，写1则开启 1 High-side driver is turned on |
第二个是HSCR寄存器
其中HSOCMEx具体可能是--(是否关闭过电流检测)，过电流检测和驱动器关机可在切换驱动器后为初始THOSOCM屏蔽。这可以通过在HSCR寄存器中相关的HSOCME寄存器位写入1来达到。HSOCME位只能写，而相关的驱动被禁用（HSE＝0）。
后面的就是是否使能HSD了，写1使能，写0失能 需要注意在HSEx写入1使能之后到在HSDRx写入1打开之前需要一段时间
第三个是HSIE（中断使能寄存器）
写1时 过电流中断使能
写0时 过电流中断失能
第四个 是HSIF寄存器
这个是中断标志位的寄存器，写1清除标志，写0无作用
可以读取和清除标志位。这个如果是1则意味着有一次OC发生，如果是0则自上次清除标志以来没有发生的OC事件
这是一个简单的模块，接下来去看看PIM的模块
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端口集成模块----PIM
S12VR端口集成模块（PIM）为所有端口建立外围模块和I/O引脚之间的接口。它控制电引脚特性，以及共享引脚上的信号优先级和多路复用。
对于S12VR64／48：
与外部振荡器相关联的2个引脚端口E----------------------------------------------------------PTE*2
4个引脚端口T与4个定时器通道和2个PWM通道相关 --------------------------------------PTT*4
6个引脚端口S与2 SCI和1 SPI相关 -------------------------------------------------------------PTS*6
6个引脚端口P与引脚中断和唤醒功能；--------------------------------------------------------PTP*6
中断输入
-6个PWM通道，其中两个能够驱动高达10毫安 -----------------------------------------------PAD*6
一个具有过电流保护和中断功能的输出，最多可提供20毫安。
外部设备，如霍尔传感器
具有引脚中断和唤醒功能的6引脚端口AD；与6个ADC通道相关
4个引脚端口L具有引脚中断和唤醒功能；与4个高电压输入相关 ----------------------------PTL*4
可选的分压器旁路和开路输入检测的数字或模拟使用
可见
DDR是控制方向的寄存器，0输入 ，1输出
PT是控制输出电平的寄存器，
PER是上下拉使能的寄存器，0失能，1使能
PPS是上下拉选择寄存器， 0上拉，1下拉
PIE是是否启用中断寄存器。看PPS如果PPS是0则下降沿为中断的敏感边沿，1则上升沿为中断的敏感边沿。
如上仅适用于端口P和AD，PTP[0..5]+PAD[0..5]
明天继续写~~
这篇关于Day 2 | 实习第二天 飞思卡尔S12--HSD的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
