本文主要是介绍IRFS3206 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
优势
- 优化分销合作伙伴的广泛可用性
- 根据 JEDEC 标准进行产品验证
- 针对10 V栅极驱动电压进行了优化（称为正常电平）
- 工业标准通表面安装功率封装
- 高电流承载能力封装（高达195A,芯片面积可变化）
- 可用于波焊
指标参数
| Parametrics | IRFS3206 |
|---|---|
| ID (@25°C) max | 210.0 A |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Mounting | SMD |
| Ptot max | 300.0 W |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 120.0 nC |
| Qgd | 35.0 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 3.0 mΩ |
| RthJC max | 0.5 K/W |
| Tj max | 175.0 °C |
| VDS max | 60.0 V |
| VGS(th) min max | 3.0 V 2.0 V 4.0 V |
| VGS max | 20.0 V |
文件
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