本文主要是介绍第三章 多层次的存储器笔记简记，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
第三章 多层次的存储器1.存储器的分类
存储器分类标准：
（1）存储介质：半导体存储器和磁表面存储器；（按存储介质）
（2）存取方式：随机存储器和顺序存储器；（按存取方式）
（3）存储内容可变性：只读存储器和随机读写存储器；（按读写功能）
（4）信息易失性：易失性存储器和非易失性存储器；（按信息的可保存性）
（5）系统中的作用：可分为内部存储器和外部存储器；（按在计算机系统中的作用和地位）
又可分为主存储器、高速缓冲存储器、辅助存储器、控制存储器
2.存储器的分级
（1）高速缓冲存储器cache（速度快，容量小，价格贵）
（2）主存储器
（3) 外存储器（速度慢，容量大，价格便宜）
主存储器的性能指标主要是存储容量、存取时间、存储周期、存储器带宽
根据信息存储的机理不同，内部存储器又分为静态读写存储器（SRAM）和动态读写存储器(DRAM)
SRAM是英文Static RAM的缩写，即静态随机存储器。
它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。
DRAM 只能将数据保持很短的时间。
为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，
如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）
3.存储容量的扩充
1、字长位数扩展（数据）
2、字存储容量扩充或字地址单元数扩展（地址）
3、存储器模块条（字位同时扩展）
4.只读存储器ROM
1、掩模ROM：只读不写2、可编程ROM：
PROM（只写一次）
EPROM（可写多次） 光擦除可编程可读存储器（一般是在紫外线环境下擦除）
E^2PROM（可写多次） 电擦除可编程可读存储器
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