整流桥该如何正确的选用

2024-08-31 16:04
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本文主要是介绍整流桥该如何正确的选用,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

系列文章目录

1.元件基础
2.电路设计
3.PCB设计
4.元件焊接
5.板子调试
6.程序设计
7.算法学习
8.编写exe
9.检测标准
10.项目举例
11.职业规划


文章目录

  • 前言
  • 1. 确定电压和电流参数
  • 2. 温度特性和散热设计
  • 3. 封装形式的选择
  • 4. 耐压和击穿电压
  • 5. 正向压降与效率
  • 6. 其他特性与应用场景

前言


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整流桥将交流电转换为直流电,广泛应用于电源模块、充电器、电机驱动等领域。如何正确选择整流桥,不仅直接影响到电路的性能,还关系到系统的可靠性和稳定性。
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1. 确定电压和电流参数

选择整流桥的首要任务是确定电路的工作电压和电流。整流桥的反向耐压(Reverse Voltage,VR)应高于电路中实际出现的最大反向电压,通常应选择比实际电压高出20%-30%的安全裕度。例如,若实际电压为100V,可选择反向耐压为150V的整流桥。

电流方面,整流桥的最大正向电流(Forward Current,IF)应大于电路中最大负载电流的1.5倍至2倍,以保证其在工作中不过载。此外,还需关注峰值浪涌电流(Peak Surge Current,IFSM)的承受能力,尤其在应用于大电流或启动电流较大的电路时更为重要。
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2. 温度特性和散热设计

温度对整流桥的性能有直接影响。整流桥的工作温度范围一般在-40°C至+150°C之间。在实际应用中,应考虑整流桥在高温环境下的降额使用,以延长其使用寿命。散热设计也是选择整流桥时需考虑的重要因素。对于高功率应用,应选择带有散热片或需外接散热器的整流桥,并确保有足够的空气流动或通过加装散热器来降低温度。
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3. 封装形式的选择

整流桥有多种封装形式,如DIP、SMD、TO-220、GBJ等。选择封装形式时,应根据电路板的空间布局和功率密度需求来决定。对于空间受限的电路板,可选择SMD封装的整流桥,但需注意其散热问题。对于大功率应用,TO-220封装因其优良的散热性和安装便利性,常被广泛使用。
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4. 耐压和击穿电压

整流桥的耐压值应略高于电路中可能出现的最高电压,以避免因电压过高导致整流桥击穿。此外,击穿电压(Breakdown Voltage)应有足够的裕量,尤其是在电压波动较大的电路中,应选择击穿电压更高的整流桥,以确保系统的稳定性。
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5. 正向压降与效率

正向压降(Forward Voltage Drop,VF)是整流桥在正向导通时的电压损耗。较低的正向压降意味着较少的能量损耗和更高的电路效率。在一些对能效要求较高的应用中,应选择正向压降较低的整流桥,如肖特基二极管整流桥,其正向压降通常较普通硅二极管整流桥低。
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6. 其他特性与应用场景

根据应用场景的不同,还需关注整流桥的其他特性,如反向恢复时间(Reverse Recovery Time,trr)和电磁干扰(EMI)。反向恢复时间越短,整流桥在高频应用中的表现越好;而在对EMI要求较高的应用中,应选择具有良好抑制特性的整流桥。

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