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整流桥专题
整流桥该如何正确的选用
系列文章目录 1.元件基础 2.电路设计 3.PCB设计 4.元件焊接 5.板子调试 6.程序设计 7.算法学习 8.编写exe 9.检测标准 10.项目举例 11.职业规划 文章目录 前言1. 确定电压和电流参数2. 温度特性和散热设计3. 封装形式的选择4. 耐压和击穿电压5. 正向压降与效率6. 其他特性与应用场景 前言 送给大学毕业后找不到奋斗方向的
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QL5010-16-ASEMI逆变焊机专用整流桥QL5010
编辑:ll QL5010-16-ASEMI逆变焊机专用整流桥QL5010 型号:QL5010 品牌:ASEMI 封装:KBPC-4 批号:2024+ 类型:整流模块 电流:50A 电压:1600V 安装方式:直插式封装 特性:大功率、整流桥 产品引线数量:4 产品内部芯片个数:4 产品内部芯片尺寸:MIL 工作结温:-40℃~150℃ 功率:50W 包装方式:500
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反激开关电源整流桥选型及计算
整流桥的作用就是把输入交流电压整形成直流电压,把正弦波整成馒头波,由于整流管的单向导电 性,在输入电压瞬时值小于滤波电容上电压时整流桥,在这个时候是不导通的,使整流桥的电流变 成2-3ms左右的窄脉冲。为获得所需要的整流输出电流,这个电流窄脉冲的幅值将会很高。通常整 流桥的额定平均电流应该降额使用 输入整流桥的选型计算 1、整流桥的电流选择 选择整流桥的电流
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高压无源探头能测整流桥电压吗?
高压无源探头是用于测量高电压电路中信号的一种工具,它不需要外部电源供电。然而,对于测量整流桥电压,需要考虑几个因素以确定是否可以使用高压无源探头。 首先,让我们了解一下整流桥的基本原理。整流桥是一种电路,用于将交流电转换为直流电。它通常由四个二极管组成,可以将交流信号的负半周转换为正半周,从而产生一个相对平稳的直流输出。 对于高压无源探头来说,它的工作原理是利用电磁感应的原理将电压转换为可以测
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GBU3010-ASEMI开关电源整流桥GBU3010
编辑:ll GBU3010-ASEMI开关电源整流桥GBU3010 型号:GBU3010 品牌:ASEMI 封装:GBU-4 特性:插件、整流桥 平均正向整流电流(Id):30A 最大反向击穿电压(VRM):1000V 恢复时间:>2000ns 最大RMS电压: 引脚数量:4 芯片个数:4 最大正向压降:1.05V 芯片尺寸:160MIL 工作温度:-55℃~150℃
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尺寸小又薄的整流桥IBS
1. 整流桥功能介绍 整流桥在电子领域中扮演着至关重要的角色,为各种电子设备和电路提供了稳定的电源。整流桥的主要作用是将交流电信号转换为直流电信号。当交流电信号通过整流桥时,它会使得只有一个方向的电流能够通过,从而实现了将交流电信号转换为单向的直流电信号。在一些手持设备需要小巧轻便的整流桥来将交流电转换为直流电。医疗器械:一些便携式医疗器械或医疗监测设备,由于需要经常携带和移动,通常采用小体积的
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KBPC5010-ASEMI逆变器整流桥KBPC5010
编辑:ll KBPC5010-ASEMI逆变器整流桥KBPC5010 型号:KBPC5010 品牌:ASEMI 封装:KBPC-4 最大重复峰值反向电压:1000V 最大正向平均整流电流(Vdss):50A 功率(Pd):大功率 芯片个数:4 引脚数量:4 类型:插件整流桥、整流桥 正向浪涌电流:400A 正向电压:1.10V 最大输出电压(RMS): 封装尺寸:如图
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GBU3010-ASEMI火牛适配器专用整流桥GBU3010
编辑:ll GBU3010-ASEMI火牛适配器专用整流桥GBU3010 型号:GBU3010 品牌:ASEMI 封装:GBU-4 最大重复峰值反向电压:1000V 最大正向平均整流电流(Vdss):30A 功率(Pd):大功率 芯片个数:4 引脚数量:4 类型:插件整流桥、整流桥 正向浪涌电流:350A 正向电压:1.10V 最大输出电压(RMS): 封装尺寸:如图
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D35XB80-ASEMI整流桥D35XB80参数、封装、尺寸
编辑:ll D35XB80-ASEMI整流桥D35XB80参数、封装、尺寸 型号:D35XB80 品牌:ASEMI 封装:GBJ-5 最大重复峰值反向电压:800V 最大正向平均整流电流(Vdss):35A 功率(Pd): 芯片个数:4 引脚数量:5 类型:插件、整流桥 正向浪涌电流:450A 正向电压:1.05V 最大输出电压(RMS): 封装尺寸:如图 工作温度:
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D35XB60-ASEMI整流桥D35XB60参数、封装、尺寸
编辑:ll D35XB60-ASEMI整流桥D35XB60参数、封装、尺寸 型号:D35XB60 品牌:ASEMI 封装:GBJ-5 最大重复峰值反向电压:600V 最大正向平均整流电流(Vdss):35A 功率(Pd): 芯片个数:4 引脚数量:5 类型:插件、整流桥 正向浪涌电流:450A 正向电压:1.05V 最大输出电压(RMS): 封装尺寸:如图 工作温度:
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ASEMI整流桥KBPC2510,KBPC2510参数,KBPC2510规格书
编辑-Z ASEMI整流桥KBPC2510参数: 型号:KBPC2510 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF):25A 峰值正向浪涌电流(IFSM):300A 每个元件的典型热阻(ReJA):2.1℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55
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ASEMI整流桥GBPC5010,GBPC5010参数,GBPC5010大小
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC5010参数: 型号:GBPC5010 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF):50A 峰值正向浪涌电流(IFSM):400A 每个元件的典型热阻(ReJA):1.2℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55
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KBU808-ASEMI适配大功率开关电源整流桥KBU808
编辑-Z KBU808在KBU-4/DIP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是95MIL,是一款整流扁桥。KBU808的浪涌电流Ifsm为300A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBU808采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。KBU808的电性参数是:正向电流(Io)为8A,反向耐压为800V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。 KBU8
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GBP206-ASEMI大芯片整流桥GBP206
编辑-Z GBP206在GBP-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款内置GPP扁桥。GBP206的浪涌电流Ifsm为60A,漏电流(Ir)为1mA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP206采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。GBP206的电性参数是:正向电流(Io)为2A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。 GBP206
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GBU3510-ASEMI广为人知的家电整流桥
编辑-Z GBU3510参数描述 型号:GBU3510 封装:GBU-4 特性:家电整流桥 电性参数:35A 1000V 正向电流(Io):35A 正向电压(VF):1.1V 浪涌电流Ifsm:350A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:4 描述 GBU3510-ASEMI整流桥采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情
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ASEMI-GBJ5010电源控制柜所用整流桥
编辑-Z 电源控制柜是一种常用的电力设备,广泛应用于工业生产过程中。在电源控制柜中,整流桥起着重要的作用。 整流桥是一种用于变流的电器元件,由4个二极管组成。它能够将交流电转换为直流电,并提供稳定的电源给控制柜中的其他设备。因此,在电源控制柜中使用整流桥可以保证电力的稳定性和可靠性。 GBJ5010电源控制柜所用的整流桥具有以下特点: 1.高效率:GBJ5010整流桥采用先进的
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ASEMI整流桥KBU1510与GBJ1510能通用吗?
编辑-Z 在电子元器件领域,KBU1510和GBJ1510序列都是扮演着主要角色的整流桥。虽然它们在很多性能参数上存在相似之处,但它们是否可以通用的问题,却在很多应用场景中有着不同的答案。我们必须熟知每个元器件的特性和专利技术,才能妥善运用它们而不会引发不良影响。 首先,我们来介绍一下KBU1510和GBJ1510。它们都为单相桥式整流器,具有高整流能力,广泛应用于电源转换、电机控制等领域
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KBU1510-ASEMI开关电源整流桥KBU1510
编辑:ll KBU1510-ASEMI开关电源整流桥KBU1510 型号:KBU1510 品牌:ASEMI 芯片个数:4 封装:KBU-4 恢复时间:>50ns 工作温度:-55°C~150°C 浪涌电流:200A 正向电流:15A 反向耐压:1000V 正向压降:1.10V 引脚数量:4 KBU1510特性: ASEMI品牌KBU1510是采用工艺芯片,该芯片具有良好
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KBU810-ASEMI高性能整流桥KBU810
编辑:ll KBU810-ASEMI高性能整流桥KBU810 型号:KBU810 品牌:ASEMI 封装:KBU-4 恢复时间:>50ns 正向电流:8A 反向耐压:1000V 芯片个数:4 引脚数量:4 类型:整流桥、功率整流器件 特性:功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流:200A 正向压降:1.10V 封装尺寸:如图 工作温度:-55°C~150°C KBU8
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KBU810-ASEMI高性能整流桥KBU810
编辑:ll KBU810-ASEMI高性能整流桥KBU810 型号:KBU810 品牌:ASEMI 封装:KBU-4 恢复时间:>50ns 正向电流:8A 反向耐压:1000V 芯片个数:4 引脚数量:4 类型:整流桥、功率整流器件 特性:功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流:200A 正向压降:1.10V 封装尺寸:如图 工作温度:-55°C~150°C KBU8
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GBU810-ASEMI高性能整流桥GBU810
编辑:ll GBU810-ASEMI高性能整流桥GBU810 型号:GBU810 品牌:ASEMI 封装:GBU-4 恢复时间:>50ns 正向电流:8A 反向耐压:1000V 芯片个数:4 引脚数量:4 类型:整流桥、功率整流器件 特性:功率整流器件、高性能整流桥 浪涌电流:200A 正向压降:1.10V 封装尺寸:如图 工作温度:-55°C~150°C GBU8
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ASEMI整流桥GBU610参数,GBU610规格
编辑-Z GBU610参数描述: 型号:GBU610 最大直流反向电压VR:1000V 最大工作峰值反向电压VRWM:700V 最大平均正向电流IF:6A 非重复正向浪涌电流IFSM:175A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG:-55 to 150℃ 正向电压VF:1.1V 最大反向泄漏电流IRM:5uA 每个元件的典型热阻RthJA:2.2℃/W GBU610封装规格
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ASEMI整流桥GBU610参数,GBU610规格
编辑-Z GBU610参数描述: 型号:GBU610 最大直流反向电压VR:1000V 最大工作峰值反向电压VRWM:700V 最大平均正向电流IF:6A 非重复正向浪涌电流IFSM:175A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG:-55 to 150℃ 正向电压VF:1.1V 最大反向泄漏电流IRM:5uA 每个元件的典型热阻RthJA:2.2℃/W GBU610封装规格
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