本文是一篇关于p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究文章，发表于《应用物理杂志》（J. Appl. Phys.）2024年4月8日的期刊上。文章的标题为“Analysis and modeling of the influence of gate leakage current on threshold voltage and subthreshold swing

【High threshold voltage p-GaN gate power devices on 200 mm Si】——IPSD2013 摘要： 三星公司的研究人员介绍了一种高阈值电压、低导通电阻和高速的GaN-HEMT功率器件，该器件在栅极堆叠中使用了p-GaN层。文章提出了三个创新点：首先，首次在200毫米GaN on Si衬底上使用无Au且完全与CMOS兼容的工艺制造了p-G

【Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability】 文献总结： 本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中，镁（Mg）激活退火步骤对p型氮化镓（GaN）体的沟道迁移率和阈值电压（VT）稳定性的

标题：Simultaneously Achieving Large Gate Swing and Enhanced Threshold Voltage Stability in Metal/Insulator/p-GaN Gate HEMT (IEDM2023) 摘要 摘要：对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(

功率半导体器件一直是电力电子技术发展的重要组成部分，是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，又称为电力电子器件，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，兼具节能功效。随着电力电子应用领域的不断扩展和电力电子技术水平的提高，功率半导体器件也在不断发展和创新，其应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。