迁移率专题
通用高电子迁移率晶体管(HEMT)的差分微变解算方案及分析型模型
来源：A Difference-Microvariation Solution and Analytical Model for Generic HEMTs（TED 22年） 摘要 这篇论文提出了一种AlGaN/GaN和AlGaAs/GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)的分析型直流模型。该模型考虑了高栅偏压下势垒层中积累的电荷。为了突破准确高效求解模型的瓶颈问题,作者开发了一种改进的差分微
针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的显式表面电势计算和紧凑电流模型
来源：An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs（EDL 15年） 摘要 在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算简单,且在预测表面电位和电流-电压特性方面具有高精度,非常适
针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型，包含基板中射频漏电流的温度依赖性
来源：Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si（TMTT 23年） 摘要 该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）的准物理等效电路模型，旨在模拟基板中的射频
【氮化镓】镁激活退火对p-GaN迁移率和阈值电压的影响
【Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability】 文献总结： 本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中，镁（Mg）激活退火步骤对p型氮化镓（GaN）体的沟道迁移率和阈值电压（VT）稳定性的
在金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管中同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性
标题：Simultaneously Achieving Large Gate Swing and Enhanced Threshold Voltage Stability in Metal/Insulator/p-GaN Gate HEMT (IEDM2023) 摘要 摘要：对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(