来源：An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs（EDL 15年） 摘要 在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算简单,且在预测表面电位和电流-电压特性方面具有高精度,非常适

标题：A Surface-Potential-Based Compact Model for AlGaN/GaN MODFETs 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（11年） 摘要 - 本文首次构建了基于表面势（SP）的AlGaN/GaN调制掺杂场效应晶体管（MODFET）模型。 首先，提出了一个闭合形式的解析近似，用于描述AlGaN/GaN界面处