来源：Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si（TMTT 23年） 摘要 该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）的准物理等效电路模型，旨在模拟基板中的射频

来源：A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit（88年 TMTT） 摘要 - 提出了一种确定FET（场效应晶体管）小信号等效电路的新方法。该方法包括在低频段直接测定器件的外在和内在小信号参数。这种方法快速且精确，所确定的等效电路能够很好地拟合S参数直至26.5 GHz的频率范围。 文章的研究内容

晶振等效电路对于理解电子设备的工作原理和故障排除具有重要意义，晶振工作时内部是真实的存在“振动”的，是机械振动。振动的同时两端会输出对应频率的振动电压，这个电压非常精确且稳定，所以我们经常用作时钟信号。 一、等效电路的组成 晶振等效电路主要由晶体谐振器、放大器和反馈电路组成。晶体谐振器是晶振的核心部件，它由晶体和电容器组成，能够产生稳定的振荡信号。放大器负责放大晶体谐振器产生的信号，使其能够驱

高频电阻；高频电容；高频电感 http://www.360doc.com/content/15/0117/14/21540107_441549078.shtml   1.高频电阻 低频电子学中最普通的电路元件就是电阻，它的作用是通过将一些电能装化成热能来达到电压降低的目的。电阻的高频等效电路如图所示，其中两个电感L模拟电阻两端的引线的寄生电感，同时还必须根据实际引线的结构考虑电容效应；用电容

3.1 直流变压器模型 如下图所示，任何开关变换器都包含三个部分：电源输入端、输出端和控制输入端。输入功率按控制输入进行特定的功率变换输出到负载。理想状态下，这个过程以100%的效率完成。即 P i n = P o u t P_{in}=P_{out} Pin​=Pout​ V g I g = V I V_gI_{g}=VI Vg​Ig​=VI 这种关系只有在平衡（DC）条件下成立，在瞬态过