碳化硅专题
华芯邦碳化硅SIC MOSFET性能卓越应用在新能源汽车充电领域，更在其高达235°C的环境中依然保持坚韧，175度的高温下依然能够稳定工作，不会因过热而失效
碳化硅功率器件市场预计在2028年达到90亿美元，展望十分广阔。MOS管因其低开关损耗、高开关速度，以及卓越的热稳定性，而广泛应用于高频开关场合。在新能源汽车充电机中，MOS管起着控制充电电流的关键作用。深圳市华芯邦科技有限公司提供多款高压MOSFET产品和碳化硅功率模块，这些器件以其高可靠性和稳定性，充分满足新能源汽车充电设备的需求。碳化硅MOSFET虽然与高压MOSFET在高压条件下工作相似，
华芯邦获AEC-Q车规级系列认证与AQG324认证的双重背书，碳化硅SiC-MOSFET半导体功率器件器件已在重点头部新能源汽车厂商模块验证中。
在获得AEC-Q车规级系列认证与AQG324认证的双重背书后，华芯邦的碳化硅SiC-MOSFET器件不仅巩固了其在新能源汽车领域的领先地位，更进一步加速了其在全球汽车供应链中的深度布局。这款车规级产品凭借其卓越的耐高温、低导通电阻及高开关频率等特性，成功吸引了更多国际知名新能源汽车制造商的关注与合作意向。 随着环保意识的增强和新能源汽车市场的持续扩张，深圳市华芯邦科技有限公司深知技术创新与品质保证
碳化硅普及再提速！天岳先进上半年营收翻倍
导语 扭亏为盈，营收翻倍！2024年上半年碳化硅渗透速度有多快？ 8月23日，国内碳化硅衬底龙头天岳先进发布了2024年半年报，上半年实现营业收入9.12 亿元，较上年同期增长 108.27%；归母净利润 1.02 亿元，同比增加 241.40%，较上年同期扭亏为盈。这已是天岳先进连续第 9 个季度保持营收增长趋势。 天岳先进2024年上半年业绩情况 图片来源：天岳先进
碳化硅陶瓷膜良好的性能
碳化硅陶瓷膜是一种高性能的陶瓷材料，以其独特的物理和化学特性，在众多领域展现出了广泛的应用前景。以下是对碳化硅陶瓷膜的详细介绍： 一、基本特性 高强度与高温稳定性：碳化硅陶瓷膜是一种非晶态陶瓷材料，具有极高的硬度和机械强度，能够承受高压力和高负荷条件。同时，它还具有优异的耐高温性能，能在高温环境中保持其稳定性和机械强度，一般可耐受1500℃以下的高温。 耐腐蚀性能：碳化硅
碳化硅 (SiC)：历史与应用---凯利讯半导体
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC)，俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。 利用当代技术，人们已使用 SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷展现出颇具优势的机械特性，如： 高硬度 高强度 低密度
碳化硅片有哪些比较重要的参数？
知识星球（星球名：芯片制造与封测社区）里的学员问：请问碳化硅衬底片到客户端验证主要测试什么项目，比较重要的参数有哪些？ Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。Stacking Sequence：堆砌顺序。SiC宏观上都是由硅原子和碳原子以1:1的比例构成，但原子层的排列顺序不同，则会形成了不同的晶体结构。因此碳化硅有着许多不
第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述
SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业的核心。半导体材料在导电和绝缘之间转换，是计算世界里0和1，电力电子领域的关闭和导通的基础。 从材料构成化学成分来分类，半导体可分为元素
关于碳化硅，不可不知的10件事！
碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。 得益于出色的物理和电子特性，基于 SiC 的功率器件正在推动电力电子设备
碳化硅-如何成为半导体行业的福音
与普通硅相比，碳化硅可以承受更高的电压，因此，碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。 随着新行业和产品采用电子和半导体，设计师和制造商正在寻找改进和更智能的方法来构建这此关键元素。碳化硅(SiC)半导体不同于普通的硅半导体。当使用动力电子设备和电力系统时，它表现出有限的导热性、在某些应用中难以改变频率、低带隙能量以及更多的功率损耗然而，它也有好处。以下是
碳化硅是中国重点鼓励发展的第三代半导体材料
碳化硅化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。此外，碳化硅的硬度很大，莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能。 碳化硅作为第三代半导体材料，是中国重点鼓励发展的产业，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性和基础性产业。为加快推进第三代半导体材料行业的发展，国家层面先后印发《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019版）》、《“战略性先进电子材料”
wassersun 水光半导体1.2kv千伏碳化硅模块产销突破千万
作为碳化硅器件的业界最强，wassersun（水光半导体）以突破千万量级产品应用，已经广泛应用于工业自动化，电力技术，动力系统等领域。
《炬丰科技-半导体工艺》碳化硅等离子刻蚀方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：碳化硅等离子刻蚀方法 编号：JFKJ-21-555 作者：炬丰科技 摘要 本发明提供了一种等离子体蚀刻硅的方法.具有对重叠或底层材料电介质层的选择性的碳化物。该蚀刻气体包括碳气体,貪氧气体知02和任选的载体气体，如氤电介质材料可以包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅或各种低k电介质材料，包括有机低k材乳为了实现对这 种介电材料的期望选择性，选择等离子体蚀刻气体化字物
聊聊功率器件（氮化镓，碳化硅）
氮化镓和碳化硅是两种具有独特性质和广泛应用的无机物。下面将尽可能详细地解释它们的定义、应用、研究热点以及对我们的价值。 1，氮化镓 氮化镓（GaN）是一种由氮和镓元素组成的化合物，具有直接能隙的半导体特性。其结构类似于纤锌矿，硬度很高，并且具有宽带隙、高热导率以及稳定的化学性质。 氮化镓的能隙较宽，为3.4eV，这使得它在高功率、高速的光电元件中有广泛应用，比如紫光的激光二极管。 此外，氮
1200V碳化硅AIMBG120R020M1专为满足汽车行业的高要求而设计（AIMBG120R060M1）
1200V碳化硅汽车MOSFET系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。 基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅MOSFET专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。 1200 V开关中最低的门电荷和器件电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗，温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性保证了无扰设计和易于控制的应用设计。 紧凑型S
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻 我们的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。 然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。
碳化硅晶片C面和硅面详解
SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。 举个例子，Si原子直径大，相当于苹果，C原子直径小，相当于橘子，把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。 SiC 是一种二元化合物，其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å，这个间距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm，就是
汽车电子论文学习---电动汽车用高功率密度碳化硅电机控制器研究
关键重点： sic的特点：耐压高、开关速度快、开关损耗小；采用sic的控制器，损耗降低70%，续航里程提高5%。sic的模块并联设计难度高于IGBT模块；多芯片并联导致热耦合问题、温升不均，导致部分芯片率先失效；寄生电感差别较大，导致电流分布不均；热模型网络： 热阻计算方式： R i = t i k i S i S i S i − Δ S i R_i=\frac{t_i}{k_iS_i
SiC碳化硅功率器件测试哪些方面？碳化硅功率器件测试系统NSAT-2000
SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二极管)与碳化硅mosfet(
二维铁酸锌纳米片异质结复合物/二维有机聚合物石墨相氮化碳复合物/二维非金属光催化复合物/二维碳化硅纤维布增强陶瓷基复合物
近日，报道了低对称性单层硫化铼（ReS2）晶体中由平行和准平行晶粒构成的重叠晶界的原子级结构解析和性质预测。研究者结合纳米颗粒在晶粒边界的选择性吸附和球差校正透射电子显微术，实现了在微米尺度大范围、快速显像晶界和在亚纳米尺度精确表征晶界原子结构的兼得；精确解析了具有不同取向、宽度、原子层间堆垛方式的多种重叠晶界，并结合密度泛函理论计算预测了低对称性硫化铼晶体中重叠晶界的电子能带结构将与晶界的取向密
第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述
SiC产业概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表。 什么是半导体？ 官话来说，半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 但导电性能的强弱，并非是体现半导体材料价值的最直观属性，半导体材料的导电和绝缘属性之间的切换，才是构成半导体产业的核心。半导体材料在导电和绝缘之间转换，是计算世界里0和1，电力电子领域的关闭和导通的基础。 从材料构成化学成分来分类，半导体可分为元素
2022年汽车碳化硅功率元件市场将超过10亿美元
为进一步提升电动汽车（EV）的动力性能，全球主要车企聚焦新一代SiC（碳化硅）功率元件，相继推出多款搭载相应产品的高性能车型。据集邦咨询，随着越来越多的汽车制造商开始将 SiC 技术引入电驱动系统，预计 2022 年车用 SiC 功率元件市场规模将达到 10.7 亿美元，到 2026 年将攀升至 39.4 亿美元。 据集邦咨询，目前车用 SiC 功率元件市场主要由欧美主要 IDM 主导
3D打印+粉末冶金，打开碳化硅反射镜轻量一体化制造大门
空间望远镜是人类研究探索宇宙的最重要和最直接的工具，它的发展关系到人类对宇宙研究的速度和进程，是人类发展进步，认识自然界的一个重要科学手段。而空间反射镜是空间望远镜的最重要组成部分，也是制约空间望远镜发展的一个关键因素。突破大口径、高分辨率空间反射镜的设计及制造，是解决空间望远镜技术的重大技术瓶颈问题、对促进我国空间科学事业的发展具有重大意义。 大口径反射镜制造，碳化硅备受青睐 反射镜如此重要
年产量40万片六寸碳化硅晶圆，三安集成千亩制造基地下半年投产
在4月14日开幕的慕尼黑上海电子展上，三安集成将目前的研发进展和应用方案与到场的1000余家电力电子领域领先企业交流，开展数场技术干货分享，共同推动行业的蓬勃发展。三安集成将在研发、制造方面持续投入，与行业上下游通力合作，呼吁友商共同发力，推动国内电动智能汽车产业链迭代升级，以满足全球电动智能汽车行业的芯片需求。 电动智能汽车市场火热，“缺芯”正在成为制约发展的一大瓶颈。 开春以来，手机市场巨
投资总额达32亿美元！三安光电拟与意法半导体在重庆合资设厂生产碳化硅晶圆...
美通社消息：6月7日，中国领先的化合物半导体制造平台三安光电与全球排名前列的半导体公司意法半导体联合宣布：双方已签署协议，拟在中国重庆合资建立一个新的8英寸碳化硅器件制造工厂。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套。 该合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为"三安意法半导体(重庆)有限公司"，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体（中国）投资有限公司持股4
不同碳化硅晶体面带来的可能性
对于非立方晶体，它们天生具有各向异性，即不同方向具有不同的性质。以碳化硅晶体面为例： 4H-SIC和6H-SIC的空间群是P63mc，点群是6mm。两者都属于六方晶系，具有各向异性。3C-SIC的空间群是F-43m，点群是-43m。它属于立方晶系，不具有各向异性。15R-SIC的空间群是R3m，点群是3m。它属于三方晶系，具有各向异性。 此外，6mm和3m属于10个极性点群（1、2、3
碳化硅纳米线 SiC纳米线
碳化硅纳米线 规格或纯度：线/晶须含量：99% 长径比：10-50 英文名称：SiC Nanowire 别名：碳化硅纳米线,SiC晶须,SiC短纤维,SiC纳米线 英文别名：SiC Nanowire,SiC whiskers,SiC fiber 介绍： SiC纳米线是一种径向上尺寸低于100nm ，长度方向上远高于径向尺寸的单晶纤维。SiC纳米线生产技术一直都是全球研究的中心