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硅晶圆直接键合
0 前言 在百度上搜了一下“晶元键合”,发现这方面系统性的学习资料真的太少了。也许是关注这方面的人不多吧,导致在使用的时候造成了很大的不便。 之前推过一篇“晶元键合概述”, 是参考外文著作从整体上大致概括了一遍晶元键合技术,由于著作篇幅过长,而撰写博文的时间很挤,导致文章不了了之。这周将耕耘几篇关于晶元键合的技术学习笔记,供相关朋友学习交流。 另外,笔者也属于学习者,内容有错误和不足
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具有突发宽度的硅晶圆蚀刻速率特性
引言 等离子加工是一种使用等离子的材料加工技术,是当今制造业的重要组成部分。如今,需要超精细加工技术来满足大规模集成电路的需求,而高密度等离子源是实现这一目标的必要条件。 本研究采用四氟碳(CF4)和氩气(Ar)混合气体进行反应离子刻蚀,并将刻蚀速率与使用氩气气氛的物理刻蚀进行比较。英思特研究了突发宽度对电气和蚀刻特性的影响。通过时间分辨测量评估电气特性,突发宽度在400–1000µs范围内变
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