来源:A Compact Model of High-Voltage MOSFET Based on Electric Field Continuity for Accurate Characterization of Capacitance(TED 24年) 摘要 本文提出了一种新的高压MOSFET(HV MOS)紧凑模型,以消除现有模型中过高电容峰值的问题。与现有的改进电容模型方法相比,所
用麦克斯韦方程组分析静电场,恒定电场,恒定磁场,磁准稳态场,电准稳态场,时变电磁场 麦克斯韦方程组深刻揭示了电磁场中的电场和磁场的空间分布及随时间变化的规律,本文给出了麦克斯韦方程组在静电场、恒定电场、恒定磁场、磁准稳态场、电准稳态场中的表现形式。 麦克斯韦方程组描述时变电磁场 麦克斯韦方程组的微分形式如公式(1)、(2)、(3)、(4)所示: ∇ × H ⃗ = ∂ D ⃗ ∂ t +