文章《Temperature rise detection in GaN high-electron-mobility transistors via gate-drain Schottky junction forward-conduction voltages》，由Xiujuan Huang, Chunsheng Guo, Qian Wen, Shiwei Feng, 和 Yamin Zhan

电流流过导体时，在导体两端会产生电压差，这个电压差除以流过导体的电流就是这个导体的电阻，单位是欧姆。这就是欧姆定律，大家都知道的东西。                  当热源的热量在物体中传递时，在物体上也会产生温度差，这个温度差除以热源的发热功率就是该物体的热阻，单位是℃/W或者K/W。         看下图，这是一个焊接在PCB板上的芯片示意图，绿色的是PCB板，

在运放的datasheet里经常看到如下表所示参数，来自THS3091 首先解释下什么是热阻：半导体封装的热阻是指器件在消耗了1w功率时产生的元件和封装表明或者说周围的温度差，看下图和公式： 其中： TA是指芯片的环境温度，TJ是指芯片内部Die的温度，这两者之间的温度差只与芯片的功耗和热阻有关，通过上面的公式，可以推算出热阻定义公式为： 由上面的公式可以知道热阻的单位是温度/

转自：http://mttlab.com/g/testing/thermal_conductivity/ 热阻     热量在热流路径上传递时遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，表明了1W的热量在1m2的面积内所引起的温升大小，单位为m2K/W或m2℃/W。 热导率（导热系数）     在稳定传热条件下，1m厚的材料，上下两侧表面的温差为1度（K，°C），在1秒内，通