海力士专题
海力士A-DIE颗粒内存条震撼发布：毁灭者星际战舰DDR5内存条登场
**海力士A-DIE颗粒内存条震撼发布：毁灭者星际战舰内存条登场** 近日，海力士正式发布了全新一代A-DIE颗粒内存条——毁灭者星际战舰DDR5 7200RGB电竞内存条。这款内存条凭借其卓越的性能和先进的技术，成为数码爱好者关注的焦点。 导语： 海力士在内存领域一直保持着领先地位，此次发布的毁灭者星际战舰内存条，更是其技术创新的结晶。该产品采用了最新的A-DIE颗粒技术，旨在
三星与海力士发力决战HBM4
在8月中旬，三星宣布正在加速推进下一代HBM（High Bandwidth Memory）的研发，目标是在今年年底前完成HBM4的设计定稿（tape-out）。而SK海力士则继续保持其竞争力，计划在10月份完成HBM4的设计定稿，这一产品将被用来支持NVIDIA的Rubin AI芯片系列，此消息由Wccftech和ZDNet报道。 除了为NVIDIA提供HBM4之外，SK海力士还计划在未来几
SK海力士计划于2024年第四季度启动GDDR7大规模生产
SK海力士，作为HBM市场的领头羊，于6月13日宣布，公司目标于2024年第四季度开始其GDDR7芯片的大规模生产。 与此同时，美光科技在Computex展会上也宣布推出其GDDR7图形内存，目前正处于样品测试阶段。据AnandTech报道，美光不仅计划在今年启动GDDR7的大规模生产，而且目标是在年底前让部分客户能够出货成品，其主要应用领域覆盖人工智能、游戏以及高性能计算。 另一方面，三
据报导，SK海力士的HBM团队源自三星，暗示三星不幸失去HBM优势
最新科技动态显示，三星的高带宽记忆体（High Bandwidth Memory, HBM）技术尚未获得GPU巨头英伟达（NVIDIA）的认证，导致其落后于竞争对手SK海力士。这一挫折直接导致三星半导体部门负责人更迭。尽管三星官方否认HBM存在问题，并强调与合作伙伴的紧密合作，但市场消息来源通过TechNews透露，三星确实在HBM的发展上遇到了阻碍。 三星早年投资HBM技术并与英伟达合作开发了
英伟达坐山观虎斗：海力士vs三星竞争HBM
韩国媒体BusinessKorea于5月2日报道称，英伟达（NVIDIA）正策略性地激发三星电子和SK海力士之间的竞争，此举可能是为了降低高性能带宽内存（High Bandwidth Memory，简称HBM）的价格。 报道指出，自2023年以来，第三代“HBM3 DRAM”的价格已飙升超过五倍，这对英伟达来说，关键组件HBM成本的大幅上涨无疑会增加其研发成本。因此，BusinessKorea指
SK海力士与铠侠探讨合作生产HBM，恐影响与WD合并
韩国存储芯片巨头SK海力士正在考虑与日本NAND闪存制造商铠侠（Kioxia）合作生产用于人工智能应用的高带宽内存（HBM）。据MoneyDJ援引日本时事社Jiji Press报道，预计该生产将在铠侠和西部数据（Western Digital，WD）共同运营的日本工厂进行。铠侠将根据半导体市场状况及其与WD的关系来评估此次合作提议。 由于全球范围内，尤其是由英伟达引领的AI服务器对HBM的需求激
H58GG6MK6GX037N 海力士LPDDR5 6400Mbps 12GB 高性能内存解析
引言： 海力士（Hynix）最近推出的LPDDR5 6400Mbps 12GB内存开启了智能技术发展的新篇章。这款内存具备高速性能和低功耗，以及广泛的应用领域，如手机、PC和自动驾驶领域。我们将深入探讨LPDDR5的技术特点，以及它如何推动智能技术的进步。 高速性能和低功耗： H58GG6MK6GX037N LPDDR5 6400Mbps内存的出现标志着内存技术的重大突破。它不仅提供了极
SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’
SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。 SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7G
SK海力士4D闪存再突破：全球首个做到量产128层
【TechWeb】近日，SK海力士宣布，已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月，SK海力士还表示，正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。 SK海力士的4D NAND闪存技术是去年10月份官宣的，SK海力士这次使用TLC设计开发新
NAND闪存要涨价了？三星、SK海力士将减少NAND闪存产量
【TechWeb】近日，受日本材料出口限制的影响，韩国半导体相关企业多少产生了一些波动，其中，三星电子和SK海力士是遭受日本出口限制最严重的公司。 据路透社报道，韩国存储芯片制造商三星电子和SK海力士股价周三上涨。分析师称，投资者押注因日本对韩国关键材料的出口限制，将会导致他们减产。 BusinessKorea近日发出消息，三星电子计划将其NAND闪存价格提高10%，原因是日本政府对半导体材料出
海力士发布72层256G 3D闪存芯片 适合未来iPhone
苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。 海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 层 128Gb 3D NAN