来源：Superjunction MOSFET with an N-dot region in the P-pillar for Soft Reverse Recovery（ISPSD 24年） 摘要 在本文中，提出了一种新型的具有P柱中N点区域的超结MOSFET，并进行了实验研究。利用硼和砷扩散速率的差异，通过在P柱注入后植入等剂量的砷和硼，自然形成了N点区域。因此，N柱和P柱之间的电荷平衡