环境： zynq7100,  MT41J64M16 现象： （1） 处理器读DDR3的操作，DQS_p/n信号与DQn信号一道，由DDR3发出，处理器接收。 测量发现，DQS信号电平摆幅低低高高的现象，摆幅高时能达到正常摆幅要求，低时只是正常摆幅的一半左右。 （2） 处理器写DDR3的操作，DQS_p/n与DQn一道，由处理器发出，DDR3接收。 测量信号正常，DQS信号差分摆幅一

本文是一篇关于p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究文章，发表于《应用物理杂志》（J. Appl. Phys.）2024年4月8日的期刊上。文章的标题为“Analysis and modeling of the influence of gate leakage current on threshold voltage and subthreshold swing

标题：Simultaneously Achieving Large Gate Swing and Enhanced Threshold Voltage Stability in Metal/Insulator/p-GaN Gate HEMT (IEDM2023) 摘要 摘要：对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(