摘要 本文介绍了一种新的 3-D 蒙特卡罗方法，用于模拟 MOSFET 中的随机掺杂剂波动效应。 该方法考虑了器件中的每个硅原子，并且通常适用于任意不均匀的掺杂分布。 除体掺杂波动外，首次研究了源漏掺杂波动对短沟道阈值电压的影响。 结果清楚地表明了逆行体掺杂和浅/突变源漏结的好处。 它还量化了优化设计的 25 nm MOSFET 中由于离散掺杂剂波动引起的阈值电压变化幅度。 介绍 MOSFE