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汽车电子论文学习---电动汽车用高功率密度碳化硅电机控制器研究
关键重点: sic的特点:耐压高、开关速度快、开关损耗小;采用sic的控制器,损耗降低70%,续航里程提高5%。sic的模块并联设计难度高于IGBT模块;多芯片并联导致热耦合问题、温升不均,导致部分芯片率先失效;寄生电感差别较大,导致电流分布不均;热模型网络: 热阻计算方式: R i = t i k i S i S i S i − Δ S i R_i=\frac{t_i}{k_iS_i
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Active-Semi的新型PMIC采用领先的现场可编程技术,可减小尺寸并提高功率密度
Active-Semi优化了其领先的PMIC器件性能,并推出用于SSD和便携式应用的ACT88325和ACT88326 美国德克萨斯州达拉斯--(美国商业资讯)--ACT88325和ACT88326 PMIC是集成现场可编程ActivePMU™电源管理单元,也称为PMIC(电源管理IC)。这些产品具有高度灵活性,具有非易失性存储器,可进行预编程,可通过I²C或GPIO进行现场编程,适用于多种应用场
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Nexperia LFPAK MOSFET 系列全新8 x 8 mm 元件使得功率密度提高達 48 倍
LFPAK88 40 V 系列,汽车和工业产品组合,60% 的空间效率提升 奈梅亨 -- (美国商业资讯) -- Nexperia——分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的全球领导者,今日宣布推出其 MOSFET 和 LFPAK 系列的新封装。该封装与其最新的硅技术相结合,可产生 40 V MOSFET,且提供 0.7 mΩ 的较低 RDS(on)。LFPAK88 器件取代了较大的功率封装,
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