知 识星球（星球名： 芯片制造与封测社区，星球号： 63559049）里的学员问： 我看 到一本书上 说刻蚀SiO2需要C，这个C会和SiO2中的O结合。 较弱的 si和f结合从而被刻蚀。 但是另一本书上写SiO2刻蚀是因为离子轰击打断了Si=O键才造成刻蚀，这两个说法哪个正确？ 化学反应的本质？化学反应的本质是旧键的断裂与新键的生成。化学反应消耗了反应物，

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：碳化硅等离子刻蚀方法 编号：JFKJ-21-555 作者：炬丰科技 摘要 本发明提供了一种等离子体蚀刻硅的方法.具有对重叠或底层材料电介质层的选择性的碳化物。该蚀刻气体包括碳气体,貪氧气体知02和任选的载体气体，如氤电介质材料可以包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅或各种低k电介质材料，包括有机低k材乳为了实现对这 种介电材料的期望选择性，选择等离子体蚀刻气体化字物

8英寸铝金属刻蚀机半导体设备DSP/ARM+FPGA运动控制器，支持定制。 NMC508M 8英寸铝金属刻蚀机是电感耦合高密度等离子体干法刻蚀机，主要用于200mm硅片的金属铝和钨的刻蚀工艺。NMC508M为多腔室集群设备（Cluster Tool），是一个全自动的、能够进行串行或并行工艺处理的刻蚀系统。该系统主要由传输模块（Transfer Module）、金属刻蚀工艺模块（Metal E

引言 由于乙酸不会氧化铜表面，因此乙酸常用于去除氧化铜而不侵蚀铜膜。乙酸还具有低表面张力，易于从表面移除。因此，不需要去离子(DI)水冲洗来移除残留的乙酸，可以防止水冲洗导致的铜再氧化。 英思特研究了在低温下用乙酸去除氧化铜。乙酸去除各种氧化铜，包括氧化亚铜、氧化铜和氢氧化铜，而不会侵蚀下面的铜膜。这些氧化物的去除通过X射线光电子能谱测定。乙酸可以耐受且不妨碍氧化物的去除，同时产生无氧化物的表

1. Plasma：广泛应用而又复杂的物理过程 等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程，自70年代引入用于去胶，80年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术。刻蚀采用的等离子体源常见的有容性耦合等离子体(CCP-capacitively coupled plasma)、感应耦合等离子体ICP(Inductively coupled plasma)和微波ECR 等离子体(microwave