本文主要是介绍电子元件替换原则,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
由于降低BOM的成本(比如国产化)、电子元件已经停产、维修时电子元件的损坏更换等原因,我们需要做同类电子元件的替换工作。那么替换有什么原则呢?本内容将不间断更新一些原则。紫色文字是超链接,点击自动跳转至相关博文。持续更新,原创不易!
目录:
1、LDO替换原则
2、场效应管替换原则
1、LDO替换原则
①输入输出电压
②输出电流
③Dropout Voltage
④PSRR(Power Supply Ripple Rejection)
⑤静态电流
低功耗应用(比如电池供电),汽车应用。
降低成本原因,一款产品上使用一片LDO/TLE42764DV50和一片MC74HC4060ADTR2G,我们可将LDO与硬件看门狗整合到一起,一片IC比两片IC在价格上会更有优势。
TI的TPS7B6350QPWPRQ1是个不错的选择,其特性如下图所示。
2、场效应管替换原则
在DCDC转换电路的一款NMOS已经停产,如下图所示。
需要关注以下几个要点:
①一般选用增强型MOSFET作为开关管,从规格书判别增强型MOS移步:电子元件-MOS;
②功率MOSFET的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻 Rds(on)上,该参数具有正温度系数;
③MOSFET应该降额使用,比如国产化等。
根据上述的要点选择:NCEAP40T20AD/NMOS/TO-263,其参数概述如下图。
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