传感器原理与应用复习--磁电式与霍尔传感器

2024-03-14 19:20

本文主要是介绍传感器原理与应用复习--磁电式与霍尔传感器,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

文章目录

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  • 磁电感应传感器
    • 工作原理
    • 应用
  • 霍尔传感器
    • 工作原理
    • 基本特性
    • 应用
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传感器原理与应用复习–电容式与压电式传感器

磁电感应传感器

工作原理

导体在稳恒均匀磁场中,沿垂直磁场方向运动时,产生的感应电势为
e = B l v e = Blv e=Blv

通过将被测量转换成电信号的一种传感器。它不需要辅助电源是一种有源传感器,根据磁通量的变化进行测量
分为变磁通式和恒磁通式

  1. 变磁通式传感器
    在这里插入图片描述
    磁铁不进行运动v, 而是通过改变磁通量B来产生感应电流
    不能测量转速过快的情况
  2. 恒磁通式传感器
    在这里插入图片描述
    磁通量不发生改变,通过改变v,来改变进行切割磁感性运动
    分为(a)运动线圈型和(b)运动磁铁型

应用

  1. 测量振动速度
    当物体振动是传感器外壳和永久磁铁随之震动,而架空的芯轴、线圈和阻尼环因惯性而不随之震动,因此通过空气隙中的线圈切割磁力线从而产生感应电动势
    在这里插入图片描述

  2. 测扭矩
    在驱动源和负载之间的扭转轴的两侧安装有齿形圆盘,他们旁边装有相应的两个磁电传感器,通过齿形圆盘旋转时,圆盘齿凸凹引起磁路气隙的变化,引起磁通量的变化,在线圈中感应出交流电压,两者之间的相位差,从而测得对应的扭矩。

    在这里插入图片描述

霍尔传感器

工作原理

  1. 霍尔效应
    置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上垂直与电流和磁场方向上将产生电动势,这种现象称为霍尔效应

    在这里插入图片描述
    优点:结构简单,体积小,无触点,可靠性高,使用寿命长,频率响应宽,易于集成电路化和微型化的特点

    平衡条件
    e E H = e B v eE_H = eBv eEH=eBv
    电场力与磁场力相同
    通过加上电压表就可以测量磁场的变化

    霍尔片灵敏度 K H = R H d K_H = \frac{R_H}{d} KH=dRH
    R H = 1 n e R_H = \frac{1}{ne} RH=ne1称为霍尔常数, 通常选择后固定
    而当达到平衡状态时,测得的霍尔电动势为
    U H = K H I B U_H = K_H IB UH=KHIB
    霍尔电动势正比与激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数 R H R_H RH 成正比,而与霍尔片厚度 d d d 成反比,所以为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状

  2. 霍尔元件
    结构简单,它由霍尔片、四根引线和壳体组成,他是一块矩形半导体单晶薄片,引出四根引线,1和 1 ′ 1' 1 通激励电压或电流称为激励电极,在2 和 2 ′ 2' 2进行测霍尔电压,称为霍尔电极
    在这里插入图片描述

基本特性

  1. 霍尔器件的温度补偿
    霍尔元件采用半导体材料制成,因此它的许多参数都具有较大的温度系数,当温度发生变化时,霍尔元件载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化,从而产生温度误差
    在这里插入图片描述
    通过保持 K H ∗ I K_H*I KHI的乘积不变,可以抵消灵敏系数 K H K_H KH的影响。当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时,旁路分流电阻 R p R_p Rp自动地增加分流,减小霍尔元件激励电流 I H I_H IH,从而达到补偿的作用

  2. 不等位电势
    当霍尔元件的激励电流为 I I I 时,若元件所处位置磁感应强度为零,则它的霍尔电动势应该为零,但实际不为零,则此时测得的霍尔电势称为不等位电势
    原因是安装位置不对称、半导体材料不均匀造成了电阻率的不均匀或激励电极接触不良
    在这里插入图片描述
    通过将两边加上电阻使两边分别总电阻相等,进行修正

应用

  1. 测量微小位移
    在这里插入图片描述
    当霍尔元件发生微小位移时其上面的磁场发生变化,从而影响霍尔电动势

  2. 测量转速
    在这里插入图片描述
    在转盘上增加磁铁,通过磁铁的运动磁通量发生变化进行测量

  3. 进行计数
    在这里插入图片描述
    钢球经过一次对应磁场进行变化一次

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传感器原理与应用复习–光电式与半导体式传感器

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