本文主要是介绍RAM 和 Flash 相同点 和 差异点，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
主页： 元存储博客
文章目录
- 前言
- 存储基础
- 1. 相同点
- 2. 差异点
前言
一言以概之：Flash等于电脑里的硬盘，Ram等于电脑里的内存。
存储基础
RAM，又称为随机存取存储器，能够快速地读取和存储存储单元中的数据。然而，RAM在断电时会丢失存储内容。RAM通常被称为主存或内存，作为与CPU直接交换数据的内部存储器。
SRAM代表静态RAM。静态随机存取存储器采用多重晶体管设计，无需刷新电路即可保留其中存储的数据，因此具有高性能。它通常被内置在微控制器（MCU）或系统片上集成电路（SOC）中的一小块。
而DRAM代表动态随机存取存储器，需要定期刷新充电，否则内部数据将会丢失。现在常见的DDR内存条属于DRAM类型。
另一方面，闪存，也被称为FLASH，是一种易失性存储器，因为它也是电擦除的只读存储器。与RAM不同，闪存只能按照扇区（块， 一般是 512 字节）进行操作。闪存的电路结构相对简单，且相同容量的芯片面积较小。闪存可分为NOR FLASH和NAND FLASH两种类型。
NOR FLASH的数据线和地址线是分开的，它可以实现类似RAM的随机寻址功能，也就是说，程序可以直接在NOR FLASH上运行，而无需复制到RAM中。
然而，NAND FLASH同样按块进行擦除，但数据线和地址线是复用的，因此无法通过地址线进行随机寻址。
1. 相同点
都属于存储器的一种类型：RAM（Random Access Memory）是随机存取存储器，用于临时存储数据和程序；Flash 则是一种非易失性存储器，用于长期存储数据和程序。
都可以读写数据：RAM 和 Flash 都可以读取和写入数据，RAM 可以实时读写数据，而 Flash 则需要先擦除数据才能写入。
都可以擦写数据：RAM 和 Flash 都可以擦除数据，但擦除的方式不同。RAM 直接将存储单元（可以小到一个 bit）的电荷置零即可擦除，而 Flash 需要将整个存储块(512 B)的数据擦除。
都有读取和写入速度：RAM 的读取和写入速度比 Flash 更快，因为 RAM 是基于电子元件的，而 Flash 是基于闪存技术的。
都有容量限制：RAM 的容量通常较小，一般在MB到几GB之间，而 Flash 的容量可以达到几TB。
都用于存储计算机程序和数据：RAM 主要用于存储运行中的程序和数据，Flash 主要用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
都可以被电脑重写、读取：RAM 和 Flash 都可以通过计算机来重写和读取数据，RAM 可以随机读写，而 Flash 只能顺序写入，可以随机读取。
2. 差异点
RAM（Dynamic Random Access Memory）和 NAND Flash 是两种不同类型的存储器件。
工作原理：
DRAM 是一种易失性存储器，它将数据存储在电容中，通过周期性刷新来保持数据的稳定性。需要持续电源供电来维持数据内容。
NAND Flash 是一种非易失性存储器，它利用了电荷在浮栅上的积累和耗散来存储数据。
延迟：RAM 的延迟很小，通常以纳秒（ns）为单位计算。NAND Flash的延迟较大，通常以毫秒（ms）为单位计算。
容量和成本：RAM 的容量相对较小，通常以GB（千兆字节）为单位计算，而 NAND Flash 的容量通常以TB（千兆兆字节）为单位计算。相对而言，RAM 的成本较高，而 NAND Flash 的成本较低。
使用寿命：
RAM 没有擦写次数的限制。
Flash 的数据写入需要先擦除存储单元，而且每个存储单元具有有限的擦写次数，通常在数千到数百万次之间。
使用场景：由于其高速读写和低能耗特性，RAM 适用于需要快速读写和频繁数据传输的应用，如计算机主内存。而 Flash 适用于需要大容量存储和较低功耗的应用，如移动设备存储和固态硬盘。
参考文献
-
终于有人说清楚了什么是DRAM、什么是NAND Flash
-
在嵌入式系统中，flash和ram的区别和联系是什么
声明
本文仅为学习交流目的。
文中部分文字和图片来源于互联网，列在参考的文献，但可能有遗漏。如有侵权，请告知我删除。
这篇关于RAM 和 Flash 相同点 和 差异点的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
