PMIC 基础知识浅析(四)

2024-01-20 12:52
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本文主要是介绍PMIC 基础知识浅析(四),希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

PMIC 后端研究现状:

现今针对便携式移动平台的电源管理芯片仍以传统分离型 PMIC为主。 根据后端设计的特点,传统分离型 PMIC 又可分三大类。

  • 控制芯片与开关 MOSFET 分离型,MOSFET 外置于PCB上,芯片仅提供智能控制功能。 此类IC技术难度不大,前后端设计都非常成熟。 在后端设计中,由于不涉及到大电流、强噪声,版图部分按传统方式绘制即可,需注意电流镜、差分对、需匹配的电阻电容等器件,以及对整体匹配要求严格的注入ADC等模块,电源线、地线的抗串扰分布、以及数字与模拟部分的隔离等,在封装也较少考虑效率及发热等问题。
  • 将分离的控制芯片和开关 MOSFET 做MCM(Multi-chip Module)封装,在应用场合体现为一颗集成开关 MOSFET 的独立芯片,对用户来讲属于“即插即用”型设计. 此类型出现较晚(2008年左右).较第一种类型其在性能上有不小提高。 由于芯片和 MOSFET仍然是分开的,其前、后端开发过程与第一种完全外置 MOSFET 型芯片并无太大不同,封装形式是其主要区别。 此类芯片在后端设计中,特别注意了 MCM 封装对版图的要求,如芯片外形、绑线PAD 开口位置、引线长度和数量等。

              图1

  • 将控制部分与开关 MOSFET用同样的工艺和加工步骤,完全集成在一起。 在小于30瓦的应用中,这类芯片较之前两类芯片更具有优势。 此类型芯片出现最晚,对应用客户而言与第二种类型的芯片并无太大区别,但其提供电流能力逊于采用独立 MOSFET 的MCM 封装类型芯片。 其在前、后端设计上都有很高要求,特别是在后端,由于开关 MOSFET 的集成,出现的大电流、强噪声、高发热等副作用使控制部分电路工作环境异常恶劣。
  • 一个好的后端设计,可以最大限度减弱集成 MOSFET 带来的坏处,给控制部分电路设计留更大余量,得以提高产品性能。
  • 各大芯片设计公司在版图上采用了一些新技术,譬如针对 MOSFET 的浮空隔离环技术(Floating Guard Ring)、RDL 技术,如图2所示;
  • 另外封装上采用fcQFN方式,见图3;
  • CSP 技术,见图4。

         


                         图2                                              图3                                             图4

  •  NOVATEK在多通道PMIC技术上的功耗及温控上有很大优势,并且在Q4还会推出新款10V的PMIC。

    问题:

    • 传统分离型 PMIC 分为哪几类?

         控制芯片与开关 MOSFET 分离型、MCM(Multi-chip Module)封装型和多通道型PMIC。

    • 多通道PMIC常见封装形式有几种? 分别是什么?

         3种。分别是RDL、fcQFN、CSP封装。

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