本文主要是介绍【转】增强型、耗尽型MOS，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
(什么是增强型、什么是耗尽型？其内部的主要差别是什么？)
作者：Xie M. X. (UESTC，成都市)
总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管（D-FET）就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET；增强型场效应晶体管（E-FET）就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。
这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、低功耗电路中很有使用价值；并且这种器件在工作时，它的栅偏电压的极性与漏极电压的相同，则在电路设计中较为方便。
（1）MOSFET：
对于Si半导体器件，由于Si/SiO2界面上电荷（多半是正电荷——Na+沾污所致）的影响，使得n型半导体表面容易产生积累层，而p型半导体表面容易反型（即出现表面反型层），所以比较容易制造出p沟道的增强型MOSFET（E-MOSFET），而较难以制作出n沟道的E-MOSFET。正因为如此，故在早期工艺水平条件下，常常制作的是p沟道的E-MOSFET。
当然，随着工艺技术水平的提高，现在已经能够很好地控制半导体的表面态以及表面电荷，从而就能够方便地制作出n沟道、或者p沟道的D-MOSFET或者E-MOSFET，以适应各种应用的需要。
MOSFET的导电是依靠表面沟道来进行的，而在0栅偏压下能否产生沟道，则与半导体衬底的掺杂浓度直接有关。若采用较低掺杂浓度的衬底，就可以获得D-MOSFET；采用较高掺杂浓度的衬底，就可以获得E-MOSFET。
（2）
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