本文主要是介绍1847_MOSFET预驱以及作用,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
Grey
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1847_MOSFET预驱以及作用
MOSFET预驱主要是提供MOSFET的开关驱动电路,关于这部分的电路作用,可以参考网络上的一个问题的讨论中一个回答。如下是对应的讨论链接:
MOSFET pre-driver
上面的讨论中,有一个值得去看一下的结论:
从这里看,预驱主要是提供三个功能:
- 提供更大的栅极电容,这个主要是为了保证开关的速度。至于为什么,后面另一份资料的分析中再看。
- 提供更大的栅极驱动电压,这个主要是针对单片机输出能力来说的。
- MOSFET的驱动过程中会有反向的电流冲击,预驱可以处理这样的一些情况。
主题由来介绍
我分析一些驱动芯片的软件特性的时候,很多地方的理解可能不到位,这样会导致初期的设计有一定的盲目性。如果带着这样的信息去做软件设计,也是很好的一种引导指点。也只有满篇的专业术语能够理解的时候,看手册里的语句段落才会顺畅。
资料选择
这一次的资料主要是为了辅助理解一个预驱的概念,因此只是找了一些网络上的信息。如下是对应的资料链接:
mosfet-prediver
简单浏览了一下,其实这个网站上的学习资料还是很多的。
要点细节分析
- 有时候,有些驱动芯片中会内置MOSFET。
- 采用预驱是为了获得更大的栅极电容,这样会有更好的电流供电能力。而电流的大小是驱动开关速度的关键点。
- 上面是一个仿真电路,提供了几个对比的效果。
- 从仿真的结果看得出来,如果栅极增加更大的电容限制电流的能力,会导致MOSFET开关速度变慢。同时,也会导致MOSFET的功耗变大。
- 预驱IC,可以提供更大的电流,保证开启关闭速度的同时会降低MOSFET的功耗,减少热量的产生。
- 从上面的仿真效果,也可以看得出来MOSFET开关过程之中的反向电流的存在。
- 我觉得这个是很值得去注意的一点,如果采用CPLD来做预驱的方案的时候需要考虑增加电流的提升方案设计。
- 之前这方面了解并不多,以为CPLD可以实现完整的预驱IC,现在看来理解有偏差。
- 首先需要注意的一点,按照这里的说明:NMOS是可以吸收电流的,而PMOS是可以提供电流的。
- 在实现高边的驱动的时候,通常会考虑采用两个NMOS的方案以实现对高电流、高电压的负载的驱动。
- 这里的第一个结论可能不是针对例子中的芯片,似乎是一个较为常见的做法。实现这一类预驱IC的驱动能力,Vb以及Vs之间的电容选择比较重要。选择合适的电容之后oui,配合IC中的电路,HO会产生一个高处Vs 10~20V的电压。自然这个数值在其他的IC中应该也是不同的。
- 高边驱动的控制主要还是靠控制上面的NMOS,下面的NMOS如果单独针对高边来说不一定必要。不过,有的驱动负载是推挽型的驱动负载,就需要类似的设计。此外,如果有类似的设计,可以通过控制HO以及LO实现一个完全的死区功能。
小结
以上就是一个简单的MOSFET预驱的学习整理,现在基本上算是有一定的概念了。之前的文档中第一页就遇到了这样的术语,因此做了一个扩展性的学习,现在得回去继续看之前的资料了。
这篇关于1847_MOSFET预驱以及作用的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!