本文主要是介绍用于二维范德华异质结构表征的低温探针台，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
d范德华 (vdW)异质结构为研究人员提供了一个前所未有的机会，可以通过二维 (2D) 材料的原子级分层来定制设备架构并获得新的物理特性。这些所谓的范德华材料（如石墨烯、六方氮化硼和二硫化钼）的特点是层间键强，层内（vdW）力弱。通过组合这些材料，科学家们“期待观察到传统大块材料无法实现的新型晶格结构和电子特性。” 1在过去几年中，我们从已发表的论文中观察到 Lake Shore 产品如何帮助此类工作，主要用于表征工程异质结构的传输机制。
在我们的真空探针台中发现的低电流泄漏与环境控制相结合，为此类 2D 材料研究提供了明显的优势。由于许多 vdW 材料在空气中化学性质不稳定，因此必须在真空环境中对这些研究级设备进行电子表征。此外，这些站可用于研究不同真空压力下的某些多层器件，从而深入了解吸收的氧气和水对电荷传输特性的影响。
最近详细介绍此类 2D 异质结构研究的论文包括：
1、来自中国国家纳米科学技术中心和中国科学院大学的研究人员开发具有更多光响应特性的半垂直场效应晶体管（SVFET）。为此，他们制造了二碲化钼 (MoTe 2 )/二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，其中“横向 MoTe 2部分充当通道，电极下方的 vdW 形成垂直传输路径”。对于器件表征，在真空下的 Lake Shore TTPX 探针台中进行了电传输测量。
2、清华大学和北京工业大学的研究人员制造了CNT/二硒化钨 (WSe 2 )/石墨烯异质结构，可用作高性能光电探测器。在这个应用中，一维碳纳米管被添加到一叠二维材料中，我们的 CRX-4K 探针台用于混合维 vdW 异质结构的真空电测量。
3、一队来自俄罗斯和奥地利的研究人员谁制造的二硫化钼（二硫化钼）/外延萤石（氟化钙2）场效应管的工作发展与2D技术兼容高品质的栅极绝缘膜的一部分。他们将二维异质结构的堆叠特性扩展到 CaF 2层，与 MoS 2半导体形成“准”vdW 界面，并在此过程中实现了“为下一代二维纳米电子学实现超尺度介电层的突破”。 ” 在这项研究中，Lake Shore 探针台用于在真空和完全黑暗中测量 ∼5 × 10 -6托下的样品。
4、在另一篇与MoS 2相关的论文中，由纽约大学和哥伦比亚大学的研究人员领导的团队报告了在二维材料上制造具有高重现性的金属触点。该团队专门制造了 MoS 2 FET，发现“即使在低温下也能获得线性 IV 曲线、创纪录的低肖特基势垒高度 (~0 mV)、创纪录的高开/关比 (10 9 – 10 10 ) 和极低的亚阈值摆幅 (64每十年 mV）。” 为了表征脱落的样品，他们在真空下使用了 10 -5托的 Lake Shore 探针台。
除了探针台，我们还提供用于表征包含磁性材料和纳米粒子的 vdW 结构的高灵敏度VSM，以及新的MeasureReady™ M91 FastHall™ 测量控制器，无论是单独使用还是单独使用，它都可以加速 2D 半导体材料的霍尔迁移率测量与配备电磁或超导磁体的探针台结合使用。
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