RT_Thread_使用FAL组件配置stm32f407片上flash读写

本文主要是介绍RT_Thread_使用FAL组件配置stm32f407片上flash读写，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

1、RT_Thread Settings打开FAL组件

2、定义struct fal_flash_dev类型的flash设备

2.1、struct fal_flash_dev

先看下struct fal_flash_dev的具体成员，有flash设备名字、flash起始地址、flash大小、块大小（执行擦除时的最小颗粒）、操作函数（init、read、write、erase）、写操作最小颗粒度；

struct fal_flash_dev
{char name[FAL_DEV_NAME_MAX];/* flash device start address and len  */uint32_t addr;size_t len;/* the block size in the flash for erase minimum granularity */size_t blk_size;struct{int (*init)(void);int (*read)(long offset, uint8_t *buf, size_t size);int (*write)(long offset, const uint8_t *buf, size_t size);int (*erase)(long offset, size_t size);} ops;/* write minimum granularity, unit: bit.1(nor flash)/ 8(stm32f2/f4)/ 32(stm32f1)/ 64(stm32l4)0 will not take effect. */size_t write_gran;
};
typedef struct fal_flash_dev *fal_flash_dev_t;

2.1.1、blk_size执行擦除时的最小颗粒

1、明确flash擦除操作的对象：扇区、全部；

2、找到stm32f407扇区的大小

主存储器一共12个扇区，4个16K、1个64K、7个128K;

上面指的是F407xG，是1M的flash，F407xE是512K的flash，“理论上”相应的就是3个128K。

2.2、定义flash设备

2.2.1、drv_flash_f4.c的整体介绍

第一部分：宏定义各扇区的起始地址

第二部分：读、写、擦除

第三部分：使用了FAL之后的FLASH设备定义以及对于的读、写、擦除操作函数

2.2.2、修改drv_flash_f4.c的第三部分

如果直接编译会报错，找不到STM32_FLASH_START_ADRESS_XX和FLASH_SIZE_GRANULARITY_XX.

根据2.1、struct fal_flash_dev，知道报错这两个成员指的是flash起始地址、flash大小；

再根据2.1.1中Flash模块构成图和drv_flash_f4.c的第一部分的宏定义，得到如下flash设备定义：

//芯片型号：STM32407xG
//起始地址
#define STM32_FLASH_START_ADRESS_16K        ADDR_FLASH_SECTOR_0
#define STM32_FLASH_START_ADRESS_64K        ADDR_FLASH_SECTOR_4
#define STM32_FLASH_START_ADRESS_128K       ADDR_FLASH_SECTOR_5
//大小
#define FLASH_SIZE_GRANULARITY_16K          (4*16*1024)         //4个16K
#define FLASH_SIZE_GRANULARITY_64K          (64*1024)           //1个64K
#define FLASH_SIZE_GRANULARITY_128K         (7*128*1024)        //7个128Kconst struct fal_flash_dev stm32_onchip_flash_16k = { "onchip_flash_16k", STM32_FLASH_START_ADRESS_16K, FLASH_SIZE_GRANULARITY_16K, (16 * 1024), {NULL, fal_flash_read_16k, fal_flash_write_16k, fal_flash_erase_16k} };
const struct fal_flash_dev stm32_onchip_flash_64k = { "onchip_flash_64k", STM32_FLASH_START_ADRESS_64K, FLASH_SIZE_GRANULARITY_64K, (64 * 1024), {NULL, fal_flash_read_64k, fal_flash_write_64k, fal_flash_erase_64k} };
const struct fal_flash_dev stm32_onchip_flash_128k = { "onchip_flash_128k", STM32_FLASH_START_ADRESS_128K, FLASH_SIZE_GRANULARITY_128K, (128 * 1024), {NULL, fal_flash_read_128k, fal_flash_write_128k, fal_flash_erase_128k} };

3、fal_cfg.h

这个文件需要自己新建，然后添加头文件路径；

extern引入刚才定义的三个flash设备，然后定义成FLASH设备表FAL_FLASH_DEV_TABLE；

定义分区表FAL_PART_TABLE，这里要注意的是使用的是偏移地址而不是偏移地址；

#ifndef APPLICATIONS_FAL_CFG_H_
#define APPLICATIONS_FAL_CFG_H_#include <rtconfig.h>
#include <board.h>/* ===================== Flash device Configuration ========================= */
extern const struct fal_flash_dev stm32_onchip_flash_16k,stm32_onchip_flash_64k,stm32_onchip_flash_128k;/* flash device table */
#define FAL_FLASH_DEV_TABLE                 \
{                                           \&stm32_onchip_flash_16k,                \&stm32_onchip_flash_64k,                \&stm32_onchip_flash_128k,               \
}
/* ====================== Partition Configuration ========================== */
#ifdef FAL_PART_HAS_TABLE_CFG
/* partition table */
#define FAL_PART_TABLE                                                                  \
{                                                                                       \{FAL_PART_MAGIC_WORD,"part1","onchip_flash_16k",    0           ,64*1024    , 0},   \{FAL_PART_MAGIC_WORD,"part2","onchip_flash_64k",    0           ,64*1024    , 0},   \{FAL_PART_MAGIC_WORD,"part3","onchip_flash_128k",   0           ,6*128*1024 , 0},   \{FAL_PART_MAGIC_WORD,"part4","onchip_flash_128k",   6*128*1024  ,1*128*1024 , 0},   \
}
#endif /* FAL_PART_HAS_TABLE_CFG */#endif /* APPLICATIONS_FAL_CFG_H_ */

4、msh验证

调用FAL初始化函数，fal_init();

4.1、上电打印FLASH设备表和分区表

4.2、查看支持的指令

4.3、选择要操作的分区

4.4、读-写-读

4.5、擦除

擦除是对于扇区来说的，所以写了擦1个字节也不会真的擦一个字节。

4.6、性能测试

至少对于一个扇区进行测试，所以虽然写1024但实际是131072,131072是128K，定义blk_size的值。

对于128K的空间，擦除0.001s，写入0.524s，读出0.047s，不仅看出擦除的速度非常快，写入的速度最慢，对于写入的慢速也有一个数据来量化；

5、API测试

参考资料

首先根据名称找到分区，然后进行读、写、擦除操作，简单测试如下：

int main(void)
{int count = 1;uint8_t read_buf[16]={0},write_buf[16]={0};const struct fal_partition * config_info;//初始化FALfal_init();         //查找flash分区//const struct fal_partition *fal_partition_find(const char *name)config_info = fal_partition_find("part4");//读取//int fal_partition_read(const struct fal_partition *part, uint32_t addr, uint8_t *buf, size_t size)fal_partition_read(config_info,0,read_buf,16);LOG_D("read config data:\n");for(count=0;count<16;count++){rt_kprintf("%02x ",read_buf[count]);}rt_kprintf("\n");//擦除//int fal_partition_erase(const struct fal_partition *part, uint32_t addr, size_t size)fal_partition_erase(config_info,0,128*1024);//写入//int fal_partition_write(const struct fal_partition *part, uint32_t addr, const uint8_t *buf, size_t size)LOG_D("start write config data...");fal_partition_write(config_info,0,write_buf,16);LOG_D("write done.");//读取//int fal_partition_read(const struct fal_partition *part, uint32_t addr, uint8_t *buf, size_t size)fal_partition_read(config_info,0,read_buf,16);LOG_D("read config data:\n");for(count=0;count<16;count++){rt_kprintf("%02x ",read_buf[count]);}rt_kprintf("\n");while (count++){//rt_kprintf("Hello World!\n");rt_thread_mdelay(1000);}return RT_EOK;
}