本文主要是介绍磁场强度 H、磁通量 Φ、磁感应强度 Ｂ，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
磁场强度 H 和磁感应强度 B 是最常用描述磁场的参数。其他参数都是建立在两者的基础上的，例如磁导率（B/H），磁损耗（H•dB/dt）,极化强度（B-μ0H），磁化强度（B/μ0-H）和磁化曲线（B=f（H））。
洛伦兹1982年发现，在电磁场中，运动速度为v的电荷q受到的力为：
F=q(E+vμ0H)………………………………………(2.9)
通常，这个力可以分解为两部分：
第一个是由电场Ｅ引起的力：F′=qE…………………………………..……(2.10)
第二个是由磁场H产生的力：F′′=qv×μ0H…………………………………(2.11)
由上式可知，电场在任何情况（静止和移动）下都产生作用力，而磁场只在运动的电荷中产生作用力。
磁场强度 H（有时也称磁场密度） 的单位是 1A/m（安培每米）。磁场H在区域A中产生了磁通量 Φ，磁场量 Φ 与磁材料介质的磁导率 μ 和磁化强度 M 有关。在真空中磁化强度为零，磁导率用 μ0 表示，此时磁场所引起的磁通量为：Φ=μ0•AH…………(2.12) 磁通量的单位是 Wb（韦伯）或 Vs。如图 2.3 所示，在铁屑中很容易发现磁通量的存在和方向。
磁感应强度 B（有时也称为磁通密度）是一个更常用的物理量，表示为：B=Φ/A………(2.13)；从式（2.12）和式（2.13）可以看出，真空中磁场强度和磁感应强度之间的关系为：B=μ0H…………(2.14)；磁感应强度的单位是 T（特斯拉）。
根据式（2.14），真空中磁场强度H和磁感应强度B之间关系是线性的（μ0为常数）。基于这个原因，哪个量用作参考源并不重要，即因和果是独立的，但通常以磁感应强度作为磁场的参考标准。这个标准定义了电流所产生的磁场和机械力之间的关系。在磁感应强度 B 为 1T 时，通过 1A 的电流，长为 1m 的载流导体产生的力为 1N（力的方向垂直于磁通的方向），如图 2.4所示。
还可以根据法拉第定律确定磁感应强度单位：连接一个单匝线圈，如果其磁通量在 1s 内以匀速变化到 0，产生 1V 的电动势，则其磁通量的值就是磁感应强度（见图 2.4b）。
磁场强度的单位也可以根据毕奥-萨伐尔定律描述。如图 2.4c所示，一个电流为 1A，半径为 1m 的环形回路产生的磁场强度等于 I/2r。因此，一个通过电流 1A，直径为 1m 的单匝线圈中心产生的磁场强度为 1A/m。
上面所示描述的三个量的定义如图2.4 所示，值得注意的是，也有其他优质的磁场源——亥姆霍兹线圈和高精度的由磁共振控制的磁场源。
许多国家规定必须采用国际单位制 SI，使用旧的高斯（1G=10-4 T）和奥斯特（1Oe=103/4π A/m）单位制不合法。然而，这种旧的单位在几个国家，特别是美国仍在使用。事实上，旧单位很方便，因为在真空中，电场强度1Oe 对应的磁感应强度为 1G，表 2.1 总结了高斯单位和国际单位之间的转换关系。
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