本文主要是介绍新版PY系列离线烧录器，支持PY002A/002B/003/030/071等MCU各封装，不同 FLASH 大小型号，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
PY系列离线烧录器，目前支持PY32F002A/002B/002/003/030/071/072/040/403/303 各封装、不同 FLASH 大小型号。PY离线烧录器需要搭配上位机软件使用，上位机软件可以在芯岭技术官网上下载，还包括了离线烧录器的使用说明。PY离线烧录器使用MINI USB线供电，烧录器仅提供 3.3V 的 SWD 烧录。需连接SWD_VCC，SWD_GND， SWCLK，SWDIO。分别对应被烧录芯片的VCC，GND，SWCLK，SWDIO。PY系列离线烧录器与烧录机台通讯需连接 6 根线，分别为机台电源正极，机台电源负极，烧录成功，烧录失败，开始烧录，烧录中。下文是对新版PY系列离线烧录器的烧写设置的简单介绍。
芯片烧写设置：
芯片选择：
此处需要根据实际情况选择，芯片选择尤其在具有“按片区擦查”“读保护”“写保护”等需求下载任务中具有重要作用，如芯片选择与实际不符合，将持续表现为下载失败，设备“FAIL”指示灯常亮（红色指示灯），甚至可能造成芯片烧写错误，进程卡死。现支持芯片型号：PY32F002A/002B/002/003/030/071/072/040/403/303 各封装、不同 FLASH 大小型号。选择 003/030/071/072/040/403/303 时应选择对应的内核版本。
固件选择:
上图为固件加载相关功能，该功能支持加载“.Hex”与“.Bin”两种格式的固件，其中“.Hex”包括一些地址配置信息，在勾选“按扇区擦除”的情况下，会根据相关信息，自动更新烧录的初始位置与结束位置，步进大小为芯片一个扇区（4K/2K）。
烧写次数限制：
可配置烧录器对烧录芯片烧写次数限制（该限制次数为烧写成功次数，不限制烧写操作次数，不限制烧失败次数）。
烧写写保护：可开启烧录“烧写写保护”，默认写保护功能不开启（即按照芯片默认配置项写入，而不是不写入，在芯片二次烧录时候需要着重注意）。
按扇区擦除(此功能根据 HEX 文件自动配置)：可开启烧录“按扇区擦除”，默认该功能不开启（即按照芯片默认配置项写入，而不是不写入，在芯片二次烧录时候需要着重注意）。“按扇区擦除”相关区域为不可编辑状态（灰色），在勾选该功能后，擦除 FLASH 区域根据 HEX 文件擦除，默认为全选状态，即全片擦除。取消勾选后，状态回到默认状态。
OPTION 配置项写入：可开启烧录“烧写配置项”，默认该功能不开启（即按照芯片默认配置项写入，而不是不写入，在芯片二次烧录时候需要着重注意）。“烧写配置项”相关区域为不可编辑状态（灰色），在勾选该功能后，对应的功能区进入可编辑状态，可根据对应条目，从下拉列表选取需要的配置。
烧写 SDK 设置：可开启烧录“烧写 SDK 设置”，默认该功能不开启（即按照芯片默认配置项写入，而不是不写入，在芯片二次烧录时候需要着重注意）。“烧写配置项”相关区域为不可编辑状态（灰色），在勾选该功能后，对应的功能区进入可编辑状态，可根据对应条目，从下拉列表选取需要 SDK 开始地址与 SDK 结束地址。
烧写滚码：可开启“烧录滚码”，默认该功能不开启。添加滚码时用户应注意填写滚码地址应在所选芯片型号 flash 大小之内，滚码长度固定为 32bits。
烧写 UID 加密：
可开启烧录“烧写 UID 加密”，默认该功能不开启。“烧写 UID 加密”相关区域为不可编辑状态（灰色），在勾选该功能后，对应的功能区进入可编辑状态，目前版本仅仅支持标准加密方式，不支持用户自定义。
烧写速度设置：可变更烧录速度，如遇到与芯片连接的线长过长或者其他外界因素导致烧录不稳定情况，可降低烧录速度换取较好的烧录成功机率。
机台信号与触发下载：
烧录机台通讯共 6 根线，分别为机台电源正极，机台电源负极，烧录成功，烧录失败，开始烧录，烧录中。
机台电源正极, 机台电源负极 作为供电正负极可对外输出供电，支持 3.3V 与 5V两种电压。正在烧录，烧录成功，烧录失败作为下载状态提供给机台，正在烧录，烧录成功，烧录失败，三者均为低电平有效。如图展现了不同状态下三条状态线的实际情况。
机台通过 START 信号连线对烧录器下达烧录开始命令，与短按按键方式一致。触发方式为高电平有效，具体为大于 150ms 具有上升沿的脉冲信号。该信号不可持续为高，否则烧录器在单次烧录完成后立即执行下一次烧录任务。
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