本文主要是介绍一文彻底搞懂BJT及其放大特性(图解说明),希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
前置知识:PN结
一文彻底搞懂PN结及其单向导电性(图解说明)-CSDN博客
BJT的基本结构如上图所示,在左侧是宽度较窄,浓度非常高的N型离子参杂。中间是非常窄的P型离子参杂。而左侧是浓度较低的N型离子参杂。
在N型参杂区和P型参杂区之间会形成PN结,因此BJT实际上内部是含有两个PN结。根据上图所示,我们分别将三个区域引出一个电极,E代表发射极,B代表基极,C集电极。
给BE间通电,电源负极接发射极,电源发射的电子与重参杂N区的电子同性相斥,会使N+区的电子向B区扩散,并与B区的空穴结合。
电子接着被正极吸引,形成回路。此时BE间的PN结正偏。
接着将CE接在电源两端,由于集电极接电源正极,会吸引C区的电子向右移动,此时可以理解为BC间的PN结反偏,因此耗尽层变宽。
接下来,由于发射极连接了两个电源的负极,再加上N+区本来就是重参杂区域,因此这个区域会有大量的自由电子,B极每吸引一个电子离开空穴,即留下一个空穴,都会导致大量的电子涌入P区抢占这个空穴。其中只有一个电子能进入空穴,而多出来的电子会挤在P区。由于右侧N区是正常浓度参杂,那么对于B区的电子而言,它们受到的由扩散运动产生的力远远大于PN结负极对于它们向左的同性相斥的力,因此这些电子会向右运动。除此之外,由于BC间的PN结反偏,其对于这些电子产生向右的电场力,因此这些电子还会产生漂移运动,更加速了电子向右的移动。
这些电子受到CE间电源正极的吸引,向电源正极移动。
上述过程中,P区每多出一个空穴,就会有倍的电子进入P区。并漂移至右侧的正常参杂浓度的N区。这意味着,如果加大BE间的电压,吸引更多P区的电子流回电源正极,就会在P区留下更多的空穴,也因此会有更多的电子漂移至右侧N区。
流入基极的电流为,流入集电极的电流为,他们之间的关系如上图所示。最终从发射极流出的电流等于这两股电流之和,即。以上,就是BJT的放大原理。
参考资料:终于有人讲了,凭什么三极管能放大?_哔哩哔哩_bilibili
这篇关于一文彻底搞懂BJT及其放大特性(图解说明)的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!