《炬丰科技-半导体工艺》清洗和干燥半导体晶片的方法

2023-10-25 01:20

本文主要是介绍《炬丰科技-半导体工艺》清洗和干燥半导体晶片的方法,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:清洗和干燥半导体晶片的方法

编号:JFKJ-21-331

作者:炬丰科技

摘要

  在过去的 25 年中,钛及其合金因其良好的机械性能、耐腐蚀性和生物相容性而被广泛用作骨科和牙科应用中的生物医学材料。众所周知,钛种植体的表面特性可以增强细胞反应并在骨整合中发挥重要作用。钛种植体中骨整合的速度和质量与其表面特性有关。本研究的目的是评估喷砂和酸蚀对钛表面形态、粗糙度和润湿性的影响。表面特性将通过扫描电子显微镜和接触角和粗糙度测量来表征。结果表明,表面形貌、粗糙度、

关键词—牙科植入物、蚀刻、表面改性、表面形态、表面粗糙度。

介绍

  牙种植体是通过外科手术定位在颌骨中的生物相容性金属锚固件,用于原始牙齿缺失并被视为人造牙根 。植入物材料必须是生物相容性材料。

材料

表面改性

  所有圆盘都用 SiC 纸从 80 到 2000 粒度逐渐抛光。然后所有盘用250微米的Al 2 O 3 颗粒尺寸喷砂并且使用纯酸或在盐酸和硫酸的组合中进行充分蚀刻。所有蚀刻过程均通过结合使用盐酸和硫酸来完成。表 I 和表 II 中描述了两种喷砂和蚀刻程序。

电阻处理结果和 问题

  第一次喷砂处理后,第一组样品的 Ra 值如图 1 所示。它们都具有适当的表面粗糙度,在 0.5-2.0 微米范围内,但表面不足以使成骨细胞增殖。它们应该通过任何进一步的处理(如酸蚀刻)变得均匀。

  考虑到第一个程序的表面粗糙度和形态结果,最佳结果组合属于样品 6。其表面粗糙度为 0.88 微米,应在 0.5 到 2 微米之间,与 [4] 相容,并且其表面形态具有非常均匀和用作牙种植体表面的均匀微凹坑。

  当检测表面形态、粗糙度和接触角时,在以 1:1 HCl/H2so4 比率蚀刻的表面上获得了最好的结果,蚀刻时间为 15 分钟。这是来自第二次蚀刻过程的样品 5。这种处理为我们提供了 8.4±1.1 。接触角值和 1.62 微米 Ra 值,这与 [4] 和均匀的表面形态相容。

 

 

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