本文主要是介绍恩杰NZXT C750 BRONZE半模块化电源开箱,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
NZXT C750 BRONZE特色:
●14公分短机身设计,80PLUS铜牌认证转换效率
●半模块化设计,直出线组采用黑色编织网包覆,模块化线组采用带状线路
●处理器12V供电提供2组EPS 4+4P接头,支持Intel/AMD最新处理器/主板平台
●采用APFC主动功率因数修正及双晶顺向构架,单组12V同步整流输出,搭配3.3V/5V DC-DC转换设计,使12V可用功率最大化,并改善各输出电压交叉调整率
●静音12公分风扇以温控方式运转,兼顾静音及散热
●提供5年产品保固
●提供输出电压/电流监控完整保护
NZXT C750 BRONZE输出接头数量:
ATX 20+4P:1个
EPS 4+4P:2个
PCIE 6+2P:6个
SATA:6个
大4P:3个
▼外盒正面有产品名称及外观图
▼外盒背面有中文产品资讯贴纸、商标、产品名称、3种语言的产品特色/尺寸/重量/效率认证/线组数量/保固、输入/输出规格表、80PLUS铜牌认证标章
▼外盒上下侧面有商标、产品名称、条形码、安规认证标章、厂商信息
▼外盒左右侧面有11种语言特色说明
▼包装内容有包在印上商标的白色不织布套内的电源本体、模块化线组、3×0.75mm² 7A交流电源线、固定螺丝、电子说明书连接QR码紫色纸卡
▼本体尺寸为150mm(W)x86mm(H)x141mm(D)
▼本体外壳侧面有商标及型号印刷
▼直接在外壳冲压加工圆孔风扇护网
▼后方出风口处设有电源总开关及交流输入插座
▼电源本体背面外壳凹陷处粘贴标签,标签印上商标、型号、输入电压/电流/频率、各组最大输出电流/功率、总输出功率、安规/BSMI认证标章、80PLUS铜牌认证标章、警告信息、产地、条形码
▼本体直出线旁的模块化线组输出插座有标示,左上方印上”请勿使用其他电源供应器的模块化线组”英文警语
▼一组主板电源黑色编织网包覆直出线路,提供1个ATX 20+4P接头,长度为54公分
▼一组处理器电源黑色编织网包覆直出线路,提供1个EPS 4+4P接头,长度为64公分。一组处理器电源黑色带状模块化线路,提供1个EPS 4+4P接头,长度为65公分。总共提供2个EPS 4+4P接头
▼一组双头显卡电源黑色编织网包覆直出线路,每组提供2个PCIE 6+2P接头,至第一个接头线路长度为55公分,接头间线路长度为15公分。两组双头显卡电源黑色带状模块化线路,每组提供2个PCIE 6+2P接头,至第一个接头线路长度为55公分,接头间线路长度为15公分。总共提供6个PCIE 6+2P接头
▼一组SATA接头黑色带状模块化线路,提供2个直式SATA接头,至第一个接头线路长度为50公分,接头间线路长度为15公分。一组SATA接头黑色带状模块化线路,提供4个直式SATA接头,至第一个接头线路长度为50公分,接头间线路长度为15公分。总共提供6个SATA接头
▼一组大4P接头黑色带状模块化线路,提供3个省力易拔大4P接头,至第一个接头线路长度为50公分,接头间线路长度为14.5公分。总共提供3个大4P接头,未提供小4P接头或转接线
▼将所有模块化线路插上的样子
▼NZXT C750 BRONZE内部结构及使用元件说明简表
▼NZXT C750 BRONZE为CWT代工,采APFC、双晶顺向、二次侧SBD+MOSFET同步整流输出12V,并经由DC-DC转换3.3V/5V
▼风扇采用Huizhou Flyalpine DF1202512RFHN 12公分12V/0.32A,有设置气流导风片
▼电路板背面,焊点整体做工良好
▼交流输入插座接点焊上2个Y电容(CY1/CY2)及1个X电容(CX1),所有焊点均未包覆套管,仅磁芯包覆绝缘套管
▼电路板交流输入端EMI滤波电路有2个共模电感(CM1/CM2),1个X电容(CX2),2个Y电容(CY3/CY4),直立安装的保险丝(右上)及突波吸收器(左)都有包覆套管
▼EMI电路背后有Power Integrations CAP200DG X电容放电IC
▼单颗桥式整流安装在散热片上,APFC电感采用封闭式磁芯,外面包覆套管的NTC热敏电阻用来抑制输入涌浪电流
▼APFC电容采用Nichicon 400V 470µF GG系列105度电解电容
▼固定在散热片上的APFC及一次侧MOSFET,APFC使用2颗GREATPOWER GP28S50G全绝缘封装MOSFET及1颗ON SEMI FFSP0665A二极管,一次侧使用2颗Advanced Power AP65SA190DP全绝缘封装MOSFET
▼APFC及一次侧双晶顺向电路控制用Champion CM6800TX及Champion CM03X安装在主电路板背面
▼辅助电源电路一次侧采用Power Integrations TNY287PG整合电源IC,辅助电源电路变压器外包复绿色聚酯薄膜胶带
▼主变压器外包复绿色聚酯薄膜胶带
▼面向主变压器的二次侧散热片上面有1颗PFC Device PFR40V60CT二极管,是负责整流输出12V的元件之一
▼二次侧散热片另一面有1颗PFC Device PFR40V60CT二极管及2颗Wayon WMK025N06HG2 MOSFET,是负责整流输出12V的另外3颗元件。中间环状12V/-12V输出电感下面有Elite电解电容
▼主电路板背面的Sync Power SP6019负责二次侧12V同步整流MOSFET控制
▼3.3V/5V DC-DC子板正面配置环状电感及Elite固态电容
▼3.3V/5V DC-DC子板背面,上方4颗UBIQ QM3016D MOSFET分成2组,每组采1HS+1LS配置。下方有3.3V/5V DC-DC控制用µPI µP3861P
▼IN1S429I-DCG电源管理IC,提供输出过电压/欠电压/过电流保护、接受PS-ON信号控制及产生Power Good信号
▼电源供应器输出线直接焊在主电路板上,线路末端处使用不同颜色的套管包覆
▼模块化输出插座电路板正面设置3颗APAQ固态电容提升输出滤波效果
接下来就是上机测试
测试文阅读方式请参照此篇:电源测试文阅读小指南
▼NZXT C750 BRONZE于20%/50%/100%下效率分别为88.92%/89.3%/84.84%,符合80PLUS铜牌认证要求20%输出82%效率、50%输出85%效率、100%输出82%效率
从电源本体及线组插头处测试的电压差异,会对效率产生0.03%至0.3%的影响
▼NZXT C750 BRONZE于10%、20%、50%、100%的交流输入波形(黄色-电压,红色-电流,绿色-功率)。50%输出下功率因数为0.9897,符合80PLUS铜牌认证要求50%输出下功率因数需大于0.9的要求
▼综合输出负载测试,输出48%时3.3V/5V电流达13A以后就不再往上加,3.3V/5V/12V电压记录如下表
▼综合输出7%至100%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为24.8mV
▼综合输出7%至100%之间5V输出电压最高与最低点差异为24.3mV
▼综合输出7%至100%之间12V输出电压最高与最低点差异为63mV
▼偏载测试,这时12V维持空载,分别测试3.3V满载(CL1)、5V满载(CL2)、3.3V/5V满载(CL3)的3.3V/5V/12V电压变化,并无出现超出±5%范围情形(3.3V:3.135V-3.465V,5V:4.75V-5.25V,12V:11.4V-12.6V)
▼纯12V输出负载测试,这时3.3V/5V维持空载,3.3V/5V/12V电压记录如下表
▼纯12V输出5%至100%之间3.3V输出电压最高与最低点差异为14.2mV
▼纯12V输出5%至100%之间5V输出电压最高与最低点差异为12.9mV
▼纯12V输出5%至100%之间12V输出电压最高与最低点差异为70mV
▼电源PS-ON信号启动后直接3.3V/13A、5V/13A、12V/53A满载输出下各电压上升时间图,从12V开始上升处当成起点(0.000s)时,12V上升时间为27ms,5V与3.3V上升时间为6ms
▼3.3V/13A、5V/13A、12V/53A满载输出下断电的Hold-up time时序图,从交流中断处当成起点(0.000s)时,12V于15ms降至11.4V(图片中数据点标签)
以下波形图,CH1黄色波形为动态负载电流变化波形,CH2蓝色波形为12V电压波形,CH3紫色波形为5V电压波形,CH4绿色波形为3.3V电压波形
▼当输出无负载时,12V/3.3V无明显涟波,5V有间歇产生的涟波
▼于3.3V/13A、5V/13A、12V/53A(综合全负载)输出下,12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为42.8mV/26.8mV/12.8mV,高频涟波分别为34.8mV/27.2mV/12.8mV
▼于12V/62A(纯12V全负载)输出下,12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为46.8mV/19.2mV/10.4mV,高频涟波分别为38.4mV/20.4mV/10.4mV
▼3.3V(上)启动动态负载,变动范围5A至15A,维持时间500微秒,最大变动幅度580mV,同时造成5V产生256mV、12V产生268mV的变动。5V(下)启动动态负载,变动范围5A至15A,维持时间500微秒,最大变动幅度为666mV,同时造成3.3V产生342mV、12V产生424mV的变动
▼12V启动动态负载,变动范围5A至25A,维持时间500微秒,最大变动幅度为476mV,同时造成3.3V产生48mV、5V产生52mV的变动
▼电源供应器满载输出下内部(上图)及桥式整流/APFC电感/NTC(下图)的红外线热图像图(附注:安装位置环境温度会影响测试结果)
▼电源供应器满载输出下APFC MOSFET/一次侧MOSFET(上图)及主变压器/二次侧/12V输出电感(下图)的红外线热图像图(附注:安装位置环境温度会影响测试结果)
本体及内部结构心得小结:
◆采用半模块化设计,直出线组(ATX 20+4P/EPS 4+4P/PCIE 6+2P)采用黑色编织网包覆,模块化线组(EPS 4+4P/PCIE 6+2P/SATA/大4P)采用带状线路。提供2个EPS 4+4P,6个PCIE 6+2P,6个直式SATA,3个省力易拔大4P。未提供小4P接头或转接线
◆直接在外壳冲压圆孔风扇护网
◆交流输入插座接点直接安装X/Y电容,交流输入插座及总开关焊点未包覆套管,磁芯、保险丝、突波吸收器有包覆套管
◆电路板背面焊点整体做工良好
◆采用APFC、双晶顺向构架、SBD+MOSFET同步整流输出12V,并透过DC-DC转换3.3V/5V
◆APFC MOSFET使用GREATPOWER,APFC二极管使用ON SEMI,一次侧MOSFET使用Advanced Power,二次侧同步整流MOSFET使用Wayon,二极管使用PFC Device,DC-DC MOSFET使用UBIQ。APFC/一次侧MOSFET使用全绝缘封装
◆仅APFC电容采用日系品牌
◆二次侧电源管理IC可侦测输出电压与电流是否在正常范围
◆主电路板线组输出端有包覆套管,模块化插座板与主电路板透过线组连接
各项测试结果简单总结:
◆NZXT C750 BRONZE于20%/50%/100%下效率分别为88.92%/89.3%/84.84%,符合80PLUS铜牌认证要求20%输出82%效率、50%输出85%效率、100%输出82%效率
◆NZXT C750 BRONZE的功率因数修正,满足80PLUS铜牌认证要求输出50%下功率因数需大于0.9
◆偏载测试,12V维持空载,测试3.3V满载、5V满载、3.3V/5V满载的3.3V/5V/12V电压变化,均无出现超出±5%范围情形
◆电源启动至综合全负载输出状态,12V上升时间为27ms,3.3V/5V上升时间为6ms
◆综合全负载输出状态切断AC输入模拟电力中断,12V于15ms后降至11.4V
◆当输出无负载时,12V/3.3V无明显涟波,5V有间歇产生的涟波;于综合全负载输出下12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为42.8mV/26.8mV/12.8mV;于纯12V全负载输出下12V/5V/3.3V各路低频涟波分别为46.8mV/19.2mV/10.4mV
◆3.3V/5V动态负载测试,变动范围5A至15A,维持时间500微秒,最大变动幅度分别为580mV/666mV
◆12V动态负载测试,变动范围5A至25A,维持时间500微秒,最大变动幅度为476mV
◆热机下3.3V过电流截止点在29A(145%),5V过电流截止点在29A(145%),12V过电流截止点在67A(107%)
报告完毕,谢谢收看
2022-02-23 18:17发布
作者:港都狼仔
原文:https://m.mobile01.com/topicdetail.php?f=501&t=6544995
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