本文主要是介绍推出一系列GaN功率放大器: QPA2211、QPA2211D、QPA2212、QPA2212D、QPA2212T，支持卫星通信和5G基础设施。，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
推出用于支持支持卫星通信和5G基础设施的GaN功率放大器：
QPA2211
QPA2211D
QPA2212
QPA2212D
QPA2212T
QPA2211 10W GaN功率放大器是一款Ka波段功率放大器，采用0.15µm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。该放大器的工作频率范围为27.5GHz至31GHz，线性功率为5W，互调失真积低于−25dBc，小信号增益为24dB。
QPA2211放大器采用10引脚15.2mm x 15.2mm x 3.5mm螺栓朝下封装，具有Cu基座，可实现出色的热管理。为简化系统集成，QPA2211可完全匹配至50Ω，在两个I/O端口上集成了直流阻断电容器。QPA2211功率放大器非常适合用于支持卫星通信和5G基础设施。
特征
频率范围：27.5GHz至31GHz
41dBm PSAT (PIN=24dBm)
26% PAE (PIN=24dBm)
17dB功率增益 (PIN=24dBm)
小信号增益：24dB
−25dBc IMD 3（POUT=34dBm/音调）
VD=22V，IDQ=280mA偏置
封装尺寸：15.2mm x 15.2mm x 3.5mm
封装底座采用纯铜材料，可提供出色的热管理
QPA2211D GaN Ka波段功率放大器的工作频率范围为 27.5GHz至31GHz，支持卫星通信和5G基础设施。该放大器采用Qorvo的0.15u碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 工艺制造而成。
特征
频率范围：27.5GHz至31GHz
PSAT (PIN=24dBm)：> 41.5dBm
PAE (PIN=24dBm)：> 34%
功率增益 (PIN=24dBm)：> 17dB
IMD3（34dBm/tone时）：< −25dBc
小信号增益：> 26dB
偏置：VD = 22V，IDQ = 280mA
芯片尺寸：2.740mm x 2.552mm x 0.050mm
QPA2212 Ka20W GaN功率放大器设计用于在27.5GHz至31.0GHz频率范围内工作，因此非常适合用于支持卫星通信和5G基础设施。为简化系统集成，QPA2212可完全匹配至50Ω，在两个I/O端口上集成了直流阻断电容器。
该器件采用Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。
QPA2212 100％通过晶圆上直流和射频测试，以确保符合电气规范。
特征
频率范围：27.5GHz至31GHz
出色的线性功率，用于宽带通信系统
输出功率：20W
饱和功率 (PSAT)：43dBm
线性功率：10W（25dBc IMD3时）
信号增益：33dB
方便的法兰安装封装
符合RoHS指令，无铅
QPA2212D GaN功率放大器采用0.15µm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。该放大器的工作频率范围为27.5至31 GHz，饱和输出功率为25 W。
特征
频率范围：27GHz至31GHz
输出功率：44dBm（29GHz时典型值）
功率附加效率：25%（29GHz时典型值）
小信号增益：22.7dB（29GHz时典型值）
输入回波损耗：17dB（29GHz时典型值）
输出回波损耗：14dB（29GHz时典型值）
功率耗散：80.3W（+85°C时）
漏极电压：29.5V
栅极电压范围：-5V至0V
工作温度范围：–40°C至+85°C
3.630mm x 5.040mm x 0.050mm裸片
无铅、无卤、符合RoHS指令
QPA2212T是一款Ka波段片上芯片功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺(QGaN15)制造。工作频率范围为27.5至31 GHz，饱和输出功率为25 W。
为了简化系统集成，QPA2212T完全匹配50欧姆，在两个I/O端口上都集成了DC阻塞电容。
QPA2212T在片上经过100% DC和射频测试，以确保符合电气规格。
功能
频率范围: 27.5 - 31 GHz
PSAT: 43.4 dBm
GaN功率放大器: QPA2211、QPA2211D、QPA2212、QPA2212D、QPA2212T（明佳达）
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