单触控单输出触摸开关芯片PT2052A

2024-06-15 00:36

本文主要是介绍单触控单输出触摸开关芯片PT2052A,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

1.产品概述

PT2052封装和丝印

PT2052封装和丝印

PT2052A 是一款单通道触摸检测芯片。该芯片内建稳压电路,提供稳定电压给触摸感应电路使用,同时内部集成高效完善的触摸检测算法,使得芯片具有稳定的触摸检测效果。该芯片专为取代传统按键而设计,具有宽工作电压与低功耗的特性,可广泛地满足不同消费类应用的需求。

2. 主要特性

工作电压范围:2.4~5.5V
工作温度范围:-40~85℃
抗干扰性能优良:内置稳压电路、上电复位、低压复位功能及环境自适应算法等多种措施
低功耗工作模式:典型值 2uA@VDD=3V/无负载
低速工作模式:典型值 6uA@VDD=3V/无负载
工作模式可程控,支持低速模式与低功耗模式程控(LPM)切换
按键最长响应时间:低速模式下约<70ms@VDD=3V
可接外部电容(1~50pF)调整触摸灵敏度
NMOS 输出(QD),低电平输出有效
按键最长输出时间:16 秒(±30%)
上电约 0.4 秒的初始化时间,此期间内不要触摸检测点,且此时所有功能被禁止
HBM ESD:大于 2KV
封装形式:SOT23-6、DFN2*2-6L

3. 系统框图

系统框图

图 1 系统框图

4. 封装及引脚说明

PT2052A SOT23-6 管脚示意图

图 2 PT2052A SOT23-6 管脚示意图

PT2052A DFN2x2-6L 管脚示意图

图 3 PT2052A DFN2x2-6L 管脚示意图

注:引脚布局与 SOT23-6 反向

表 1 引脚说明表

SOT23-6DFN2x2-6L管脚名称I/O类型描述
13QDO输出脚,NMOS输出
22VSSP
31TCHI触摸感应输入
46NC--
55VDDP电源
64LPMI-PL低功耗模式选择(非预置项,可程控)0(默认值):低速模式;1:低功耗模式

引脚类型:
I:CMOS 输入
O:NMOS 输出
I/O:CMOS 输入/输出
P:电源/接地
I-PH: CMOS 输入内置上拉电阻
I-PL: CMOS 输入内置下拉电阻

5.功能描述

5.1 输出模式和选项脚位

LPM 脚位:选择低速工作模式或低功耗模式
工作模式分为低功耗模式、低速模式、快速模式
工作模式切换时序如下

模式切换时序图

图 4 模式切换时序图

表 2 工作模式扫描间隔

模式扫描间隔时间备注
低功耗模式140mS
低速模式40mS可响应双击应用需求
快速模式10mS可响应双击应用需求

5.2 按键最长输出时间

若有物体覆盖触摸盘或环境突然变化,可能导致触摸检测持续有效。IC 内部触控算法检测到输出有效持续时间达到设定值 16S(±30%)时,系统会回到上电初始状态,且输出变为无效。

5.3 模式实时切换

PT2052A 在低速模式下运行,可实时响应双击触摸。在此模式下侦测到 LPM 拉高后会切换到低功耗模式,可节省功耗。在低功耗模式下侦测到 LPM 拉低后又可以切换到低速模式。
LPM=1 时模式切换

图 5 LPM=1 时模式切换

5.4 灵敏度调整

IC 触摸管脚上的等效电容大小会影响灵敏度,灵敏度调整必须符合 PCB 的实际应用,下面是一些调整灵敏度的方法:

  1. 调整触摸盘大小:
    在其它条件不变的情况下,使用较大的触摸盘尺寸可增加灵敏度,反之则会降低灵敏度;但触摸盘尺寸必须在有效范围内。
  2. 调整介质面板厚度:
    在其它条件不变的情况下,使用较薄的介质可增加灵敏度,反之则会降低灵敏度。
  3. 调整 Cs 电容值
    在其它条件不变的情况下,触摸盘上未接对地 Cs 电容时,灵敏度最高,反之 Cs 电容越大灵敏度变低,Cs 电容可用范围:(1≦Cs≦50pF)。

6. 应用电路

电路示意图

图 6 电路示意图

注:

  1. 在 PCB 上从触摸盘到 TCH 脚的走线越短越好,且触摸走线与其它走线不得平行或交叉。
  2. 电源供电必须稳定,若电源电压发生快速漂移或跳变,可能造成灵敏度异常或误检测。
  3. 覆盖在 PCB 上的介质,不得含有金属或导电组件成份﹐表面涂料亦同样要求。
  4. 必须在 VDD 和 GND 间使用 C1 电容(104 或更大容量);且应采取与 IC 的 VDD 和 GND 管脚最短距离布线。
  5. 可利用 Cs 电容调整灵敏度,Cs 电容值越小灵敏度越高,灵敏度调整必须根据实际应用的 PCB来做调整,Cs 电容值的范围为 1~50pF。
  6. 调整灵敏度的电容(Cs)必须选用较小的温度系数及较稳定的电容器,如 X7R、NPO。针对触摸应用,建议选择 NPO 电容器,以降低因温度变化而影响灵敏度。

7. 电气特性

7.1 电气特性极限参数

表 3 极限参数

参数标号条件范围单位
供电电压VDD--0 to +5.5V
输入电压VI所有 I/O口-0.3 to VDD+0.3V
工作温度TA--40~ +85
储藏温度TSTG--50~ +125
芯片抗静电强度HBMESD2KV

7.2 直流特性

表 4 如无特殊说明 VDD=2.4V~5.5V,Temp=25ºC

参数标号条件最小值典型值最大值单位
工作电压VDD2.435.5V
输入高电压VIHVDD=5V,LPM0.4*VDD1.0*VDDV
输入低电压VILVDD=5V,LPM00.15*VDDV
输出拉电流IOHVDD=3V, VOH=2.1V2mA
输出灌电流IOLVDD=3V, VOL=0.9V15mA
下拉电阻RPLVDD=3V(LPM)243036Kohm
输出响应时间TRVDD=3V、快速模式40ms
VDD=3V、低速模式70ms
VDD=3V、低功耗模式200ms
工作电流ISBVDD=3V,低功耗模式(无负载)22.5uA
VDD=3V,低速模式(无负载)68uA
VDD=3V,快速模式(无负载)2025uA

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http://www.chinasem.cn/article/1061933

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