STM32FLASH闪存

本文主要是介绍STM32FLASH闪存，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

前言

本文主要解释的为STM32的内部闪存（非易失性存储器）

本文就是对于ROM类型的说明，包括Flash、系统存储器（原厂写入，一般不修改）、选项字节等
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STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程读写
FLASH的用途：
利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新
在线编程（In-Circuit Programming –
ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序
在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序（不研究）

注意各块的首地址规律，以便方便的找到首地址进行写入和区分块，对页的操作一般都以某页页首地址开始，写操作不能跨页，读操作可以跨页
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对于这些需要保存在flash的重要数据，需要有安全的保护措施，STM32Flash也设置了特殊的安全设置：
FPEC共有三个键值：

解锁：

加锁：

因为STM32的内部存储器都是挂载到总线上的，可以直接使用指针读取到

使用指针读指定地址下的存储器：
uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
使用指针写指定地址下的存储器（需要先解锁）：
*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;
其中： #define __IO volatile
用于防止编译器优化，例如编译器会把它认为无用的内容给优化掉（如空循环等），那加上这个宏定义就可以避免内容被优化掉，keil默认是低级优化，一般没有影响，若提高了优化等级就需要注意加上这个宏定义。还有例如需要多次使用某变量，编译器会把变量先存在高速缓存中，执行结束后再存回内存，若代码为多线程，中途使用中断修改了此变量，而高速缓存中此变量并没有改变，会导致错误，此时加上这个宏定义，表示此变量为易变变量，要直接去内存找，就可以避免这种错误

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再写入前会先检查此地址是否擦除，未擦除则不写入
每次只能写入半字（16位）数据
写入使用指针写入即可
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以上带n的是不带n的反码，由电路自动配置

检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作，事前等待
解锁FLASH_CR的OPTWRE位，解锁选项字节，与flash锁类似，对FPEC解锁后，必须分别写入KEY1和KEY2(和flash的密钥相同)到FLASH_OPTKEYR寄存器
设置FLASH_CR的OPTER位为1，即将擦除选项字节
设置FLASH_CR的STRT位为1，开始擦除
等待BSY位变为0，等待执行结束
读出被擦除的选择字节并做验证