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针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的显式表面电势计算和紧凑电流模型
来源：An Explicit Surface Potential Calculation and Compact Current Model for AlGaN/GaN HEMTs（EDL 15年） 摘要 在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算简单,且在预测表面电位和电流-电压特性方面具有高精度,非常适
匠心独运的掺Si量子势垒策略，显著提升了AlGaN基深紫外LED出光率
WHU团队凭借匠心独运的三明治式掺Si量子势垒策略，显著提升了AlGaN基深紫外光LED的效率，这一创新成果为中国武汉大学的研究团队所取得。他们巧妙地设计出一种三明治状Si掺杂（未掺杂）方案，应用于Al0.6Ga0.4N量子势垒中，为改善深紫外光发光二极管（DUV LED）的光电性能和可靠性注入了新的活力。 周胜俊教授在谈及这一成果时表示：“我们惊喜地发现，三明治状的Si掺杂方案犹如一把魔法棒
常关型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT作为片上电容器的建模与分析
来源：Modeling and Analysis of Normally-OFF p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT as an ON-Chip Capacitor（TED 20年） 摘要 提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向A
【氮化镓】利用Ga2O3缓冲层改善SiC衬底AlN/GaN/AlGaN HEMT器件性能
Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。 本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究，特别是探讨了不同缓冲层对器件性能的影响，以应用于高速射频（RF）应用。研究主要关注如何选择一个成本效益高、厚度超过1微米且缺陷较少的缓冲层，以改善直流（DC）和射频（RF）性能。研究中特别提到了使用β-Ga2
一种新型的AlGaN/GaN HEMTs小信号建模与参数提取方法
来源：A new small-signal modeling and extraction methodin AlGaN/GaN HEMTs（SOLID-STATE ELECTRONICS 07年） 摘要 本文提出了一种新型的用于GaN HEMTs（氮化镓高电子迁移率晶体管）的小信号等效电路，包含20个元件，并相应地开发了一种直接提取方法。与基于GaAs的传统16元件HEMT小信号模型（SSM）
一种新的基于物理的AlGaN/GaN HFET紧凑模型
标题：A new physics-based compact model for AlGaN/GaN HFETs (IEEE MTT-S International Microwave Symposium) 摘要 摘要 - 针对AlGaN/GaN HFET，提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作，建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电
AlGaN/GaN HFET 五参数模型
标题：A Five-Parameter Model of the AlGaN/GaN HFET 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（15年） 摘要—我们引入了AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）漏极电流Id（Vgs，Vds）的解析表达式，该表达式是其栅极和漏极电压的函数。我们从HFET的紧凑物理模型中推导出这个函数。所提出的电流表达式由
基于表面电势的AlGaN/GaN MODFET紧凑模型
标题：A Surface-Potential-Based Compact Model for AlGaN/GaN MODFETs 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（11年） 摘要 - 本文首次构建了基于表面势（SP）的AlGaN/GaN调制掺杂场效应晶体管（MODFET）模型。 首先，提出了一个闭合形式的解析近似，用于描述AlGaN/GaN界面处
AlGaN/GaN HEMT 中缓冲区相关电流崩溃的缓冲区电位模拟表征
标题：Characterization of Buffer-Related Current Collapse by Buffer Potential Simulation in AlGaN/GaN HEMTs 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (18年) 摘要 - 在本文中，通过使用脉冲 I-V 测量和二维漂移扩散模拟研究了 AlGaN/GaN
新成果展示：AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的设计与制备
紫外光电探测器被广泛应用于导弹预警、火灾探测、非可见光通信、环境监测等民事和军事领域，这些应用场景的实现需要器件具有高信噪比和高灵敏度。因此，光电探测器需要具备响应度高、响应速度快和暗电流低的特性。近期，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队提出了一种AlGaN/GaN基紫外光电晶体管结构，并通过仿真计算与实验制备相结合的方法对器件性能进行了分析和验证。 图1（a）展示
横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发
GaN基功率器件凭借其临界电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优良性能在大功率快充、充电桩、新能源汽车等领域具备广泛应用空间。为进一步助推半导体高频、高功率微电子器件的发展进程，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台成功开发出了横向AlGaN/GaN基SBD模型数据库，并系统地研究了场板结构参数以及温度对器件电学特性的影响。该数理模型包含了GaN材料的表
横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发
GaN基功率器件凭借其临界电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优良性能在大功率快充、充电桩、新能源汽车等领域具备广泛应用空间。为进一步助推半导体高频、高功率微电子器件的发展进程，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台成功开发出了横向AlGaN/GaN基SBD模型数据库，并系统地研究了场板结构参数以及温度对器件电学特性的影响。该数理模型包含了GaN材料的表