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【ISSCC】论文详解-34.6 28nm 72.12TFLOPS/W混合存内计算架构
本文介绍ISSCC34.6文章,题目是《A 28nm 72.12TFLOPS/W Hybrid-Domain Outer-Product Based Floating-Point SRAM Computing-in-Memory Macro with Logarithm Bit-Width Residual ADC》(一种28nm 72.12TFLOPS/W混合域外积浮点SRAM存内计算宏单元,具
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数字IC后端实现 |TSMC 12nm 与TSMC 28nm Metal Stack的区别
下图为咱们社区IC后端训练营项目用到的Metal Stack。 芯片Tapeout Review CheckList 数字IC后端零基础入门Innovus学习教程 1P代表一层poly,10M代表有10层metal,M5x表示M2-M6为一倍最小线宽宽度的金属层,2y表示M7-M8为二倍最小线宽宽度的金属层,2z表示M9-M10为八倍最小线宽宽度的金属层。还有一层AP用来走RDL,RDL这层是
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CES 2022:英飞凌推出全新 AURIX 28nm MCU 和 AIROC BLE SoC
英飞凌科技宣布扩展其 AURIX 微控制器 (MCU) 系列,提供首批硅样品,以及新的 AIROC 蓝牙 LE 片上系统 (SoC)。 新的 AURIX TC4x 系列 28 nm MCU 面向下一代电动汽车、ADAS、汽车 E/E 架构和经济实惠的人工智能 (AI) 应用,为公司的 AURIX TC3x MCU 系列提供了向上迁移的途径。它具有下一代 TriCore 1.8,以及来自 AURI
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